100dB的动态行交叠HDR与MOS管漏极磁珠同时使用
发布时间:2021/7/16 17:56:20 访问次数:839
800万像素图像传感器SC850SL，以4K高分辨率提升摄像头成像清晰度以及捕捉图像细节能力，无论是白昼还是夜晚，均可在视野宽阔的场景中清晰捕捉人脸及车牌等后端需求关键信息，实现高清4K影像。
SC850SL不仅能够支持高达100dB的动态行交叠HDR（Staggered HDR），还可在保有800万高分辨率的同时，支持思特威创新的PixGain HDR®，从而有效解决摄像头捕捉运动物体场景中HDR合成带来的鬼影问题。
Cds通过Rdson放电，Ld、Ls和Lg不参与谐振.
在PFC MOS管的漏极（D极）串联磁珠，由于磁珠表现为高频阻抗特性，用于抑制快速开关机时MOS引起的串联谐振。
为了解决因PFC MOS引起的EMC问题，通常在PFC MOS管的漏-源极（D-S极）间并联(47~220) pF的高压电容，为了避免与MOS内部的寄生电感引起振荡，尽量不增加此电容。若因EMC必需增加时，需与MOS管漏极磁珠同时使用。
(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）
800万像素图像传感器SC850SL，以4K高分辨率提升摄像头成像清晰度以及捕捉图像细节能力，无论是白昼还是夜晚，均可在视野宽阔的场景中清晰捕捉人脸及车牌等后端需求关键信息，实现高清4K影像。
SC850SL不仅能够支持高达100dB的动态行交叠HDR（Staggered HDR），还可在保有800万高分辨率的同时，支持思特威创新的PixGain HDR®，从而有效解决摄像头捕捉运动物体场景中HDR合成带来的鬼影问题。
Cds通过Rdson放电，Ld、Ls和Lg不参与谐振.
在PFC MOS管的漏极（D极）串联磁珠，由于磁珠表现为高频阻抗特性，用于抑制快速开关机时MOS引起的串联谐振。
为了解决因PFC MOS引起的EMC问题，通常在PFC MOS管的漏-源极（D-S极）间并联(47~220) pF的高压电容，为了避免与MOS内部的寄生电感引起振荡，尽量不增加此电容。若因EMC必需增加时，需与MOS管漏极磁珠同时使用。
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