850nm波段下大幅提升54.9% MOS管导通电阻为Rdson
发布时间:2021/7/16 17:54:05 访问次数:1089
SC850SL作为思特威首颗Stack的Rolling Shutter产品，采用Stack BSI架构设计辅以新一代工艺双重升级，使图像传感器的感度大幅提升，相较于业内同类产品，感光度提升15%。
SC850SL还采用思特威创新的超低噪声外围读取电路技术，成像噪声大幅优化，相较于业内同类产品，读取噪声（RN）与固定噪声（FPN）分别降低69%与59%，实现优异的夜视全彩成像。
SC850SL搭载思特威全新的第二代近红外感度NIR+技术，QE（量子效率）显著提升，相较前代NIR+技术，在850nm波段下大幅提升54.9%，940nm波段下提升79.6%。
MOS管除了3个极之间的Cgd、Cds和Cgs寄生电容外，在G极、D极和S极分别串有寄生电感Lg、Ld和Ls，这些寄生电感主要由MOS管的引脚材质和引脚长度决定，它们是真实存在的。
在米勒平台期间，Cds、Cds(ext)及Cgd放电，放电能量储存在Ld、Ls和Lg中.
当为了改善电路的EMI时，通常在MOS管D、S间并联高压电容，在此为了模拟实验，采用Cds(ext) 470 pF来说明，MOS管导通电阻为Rdson。
PFC二极管D2的反向恢复电流通路为：D2经Ld和Rdson，再到Ls。
(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）
SC850SL作为思特威首颗Stack的Rolling Shutter产品，采用Stack BSI架构设计辅以新一代工艺双重升级，使图像传感器的感度大幅提升，相较于业内同类产品，感光度提升15%。
SC850SL还采用思特威创新的超低噪声外围读取电路技术，成像噪声大幅优化，相较于业内同类产品，读取噪声（RN）与固定噪声（FPN）分别降低69%与59%，实现优异的夜视全彩成像。
SC850SL搭载思特威全新的第二代近红外感度NIR+技术，QE（量子效率）显著提升，相较前代NIR+技术，在850nm波段下大幅提升54.9%，940nm波段下提升79.6%。
MOS管除了3个极之间的Cgd、Cds和Cgs寄生电容外，在G极、D极和S极分别串有寄生电感Lg、Ld和Ls，这些寄生电感主要由MOS管的引脚材质和引脚长度决定，它们是真实存在的。
在米勒平台期间，Cds、Cds(ext)及Cgd放电，放电能量储存在Ld、Ls和Lg中.
当为了改善电路的EMI时，通常在MOS管D、S间并联高压电容，在此为了模拟实验，采用Cds(ext) 470 pF来说明，MOS管导通电阻为Rdson。
PFC二极管D2的反向恢复电流通路为：D2经Ld和Rdson，再到Ls。
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