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TDK超声波传感器模块陶瓷压电盘用作开关元件

发布时间:2021/7/15 12:52:02 访问次数:757

集成ASIC芯片让TDK超声波传感器模块只用一个陶瓷压电盘即可正常工作,实现了超紧凑结构设计。通过在一个封装中内置两枚器件,有助于设备的小型化和减少器件选型的时间。

除ASIC芯片之外,该超声波模块还集成了EEPROM和RAM,允许用户调整模块以适应特定工作条件。

通过高度集成实现坚固耐用且紧凑的结构设计,超声波传感器模块的集成度很高,且仅配备单个陶瓷压电盘.

实现超紧凑的尺寸:直径仅15 mm,模块的插入高度仅13 mm(包括模块背面的插头)。

制造商:STMicroelectronics 产品种类:ARM微控制器 - MCU RoHS: 详细信息 系列:STM32F072C8 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:LQFP-48 核心:ARM Cortex M0 程序存储器大小:64 kB 数据总线宽度:32 bit ADC分辨率:12 bit 最大时钟频率:48 MHz 输入/输出端数量:37 I/O 数据 RAM 大小:16 kB 工作电源电压:2 V to 3.6 V 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 85 C 封装:Tray 产品:MCU 程序存储器类型:Flash 商标:STMicroelectronics 数据 Ram 类型:SRAM 接口类型:CAN, CEC, I2C, SPI, USART, USB 模拟电源电压:2 V to 3.6 V DAC分辨率:12 bit I/O 电压:2 V to 3.6 V 湿度敏感性:Yes ADC通道数量:13 Channel 处理器系列:STM32F0 产品类型:ARM Microcontrollers - MCU 工厂包装数量:1500 子类别:Microcontrollers - MCU 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2 V 商标名:STM32 看门狗计时器:Watchdog Timer, Windowed 单位重量:181.700 mg

金属-氧化物-半导体场效应晶体管,是FET中最常用的结构,用作开关元件。

Pch MOSFET:通过向栅极施加相对于源极为负的电压而导通的MOSFET。

可用比低于输入电压低的电压驱动,因此电路结构较为简单。

Nch MOSFET:通过向栅极施加相对于源极为正的电压而导通的MOSFET。

相比Pch MOSFET,漏源间的导通电阻更小,因此可减少常规损耗。

使MOSFET启动(ON)时漏极与源极之间的电阻值。该值越小,则运行时的损耗(电力损耗)越少。


(素材来源:eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)


集成ASIC芯片让TDK超声波传感器模块只用一个陶瓷压电盘即可正常工作,实现了超紧凑结构设计。通过在一个封装中内置两枚器件,有助于设备的小型化和减少器件选型的时间。

除ASIC芯片之外,该超声波模块还集成了EEPROM和RAM,允许用户调整模块以适应特定工作条件。

通过高度集成实现坚固耐用且紧凑的结构设计,超声波传感器模块的集成度很高,且仅配备单个陶瓷压电盘.

实现超紧凑的尺寸:直径仅15 mm,模块的插入高度仅13 mm(包括模块背面的插头)。

制造商:STMicroelectronics 产品种类:ARM微控制器 - MCU RoHS: 详细信息 系列:STM32F072C8 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:LQFP-48 核心:ARM Cortex M0 程序存储器大小:64 kB 数据总线宽度:32 bit ADC分辨率:12 bit 最大时钟频率:48 MHz 输入/输出端数量:37 I/O 数据 RAM 大小:16 kB 工作电源电压:2 V to 3.6 V 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 85 C 封装:Tray 产品:MCU 程序存储器类型:Flash 商标:STMicroelectronics 数据 Ram 类型:SRAM 接口类型:CAN, CEC, I2C, SPI, USART, USB 模拟电源电压:2 V to 3.6 V DAC分辨率:12 bit I/O 电压:2 V to 3.6 V 湿度敏感性:Yes ADC通道数量:13 Channel 处理器系列:STM32F0 产品类型:ARM Microcontrollers - MCU 工厂包装数量:1500 子类别:Microcontrollers - MCU 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2 V 商标名:STM32 看门狗计时器:Watchdog Timer, Windowed 单位重量:181.700 mg

金属-氧化物-半导体场效应晶体管,是FET中最常用的结构,用作开关元件。

Pch MOSFET:通过向栅极施加相对于源极为负的电压而导通的MOSFET。

可用比低于输入电压低的电压驱动,因此电路结构较为简单。

Nch MOSFET:通过向栅极施加相对于源极为正的电压而导通的MOSFET。

相比Pch MOSFET,漏源间的导通电阻更小,因此可减少常规损耗。

使MOSFET启动(ON)时漏极与源极之间的电阻值。该值越小,则运行时的损耗(电力损耗)越少。


(素材来源:eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)


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