霍尔效应开关的形式使用磁感测解决方案检测盖子
发布时间:2021/7/14 18:56:51 访问次数:255
霍尔效应传感器能够很好地应用于检测充电盒盖和耳塞充电情况。
鉴于磁铁已用来合上充电盒盖,因此,以霍尔效应开关的形式使用磁感测解决方案检测盖子显然是一种无需额外零件即可之际连接/断开蓝牙的解决方案。
此外,将磁铁放进在耳塞,是一种能够检测充电盒内是否存在耳塞的从而有效充电方法。
选择适合的数字霍尔效应传感器非常重要,并且低频率/低功耗的特性让DRV5032成为了不二之选。对于霍尔效应传感器在耳塞中的应用,完全能够实现每秒提供5次磁铁检测信息。
制造商:ON Semiconductor产品种类:电可擦除可编程只读存储器RoHS: 安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOIC-8接口类型:2-Wire, I2C存储容量:1 Mbit组织:128 k x 8电源电压-最小:1.8 V电源电压-最大:5.5 V最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 C最大时钟频率:1 MHz访问时间:900 ns数据保留:100 Year电源电流—最大值:5 mA系列:封装:Cut Tape封装:MouseReel封装:Reel高度:1.5 mm长度:5 mm宽度:4 mm商标:ON Semiconductor工作电源电流:5 mA工作电源电压:1.8 V to 5.5 V产品类型:EEPROM3000子类别:Memory & Data Storage单位重量:540 mg
一种基于轻质AlSiC平板基板(Flat Baseplate)的三相碳化硅(SiC)MOSFET智能功率模块(IPM),以满足航空和其他特殊工业应用中针对自然空气对流或背板冷却的需求。
此项高温芯片和模块技术平台亦将大力推动电动汽车动力总成系统(电机、电控及变速箱)的深度整合,以使其体积、重量及相应成本大幅降低,并实现最佳能源效率。
CISSOID的IPM技术平台可迅速适应新的电压、功率和冷却要求,极大地加速了基于SiC的功率转换器的设计,从而实现了高效率和高功率密度。
(素材来源:eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)
霍尔效应传感器能够很好地应用于检测充电盒盖和耳塞充电情况。
鉴于磁铁已用来合上充电盒盖,因此,以霍尔效应开关的形式使用磁感测解决方案检测盖子显然是一种无需额外零件即可之际连接/断开蓝牙的解决方案。
此外,将磁铁放进在耳塞,是一种能够检测充电盒内是否存在耳塞的从而有效充电方法。
选择适合的数字霍尔效应传感器非常重要,并且低频率/低功耗的特性让DRV5032成为了不二之选。对于霍尔效应传感器在耳塞中的应用,完全能够实现每秒提供5次磁铁检测信息。
制造商:ON Semiconductor产品种类:电可擦除可编程只读存储器RoHS: 安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOIC-8接口类型:2-Wire, I2C存储容量:1 Mbit组织:128 k x 8电源电压-最小:1.8 V电源电压-最大:5.5 V最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 C最大时钟频率:1 MHz访问时间:900 ns数据保留:100 Year电源电流—最大值:5 mA系列:封装:Cut Tape封装:MouseReel封装:Reel高度:1.5 mm长度:5 mm宽度:4 mm商标:ON Semiconductor工作电源电流:5 mA工作电源电压:1.8 V to 5.5 V产品类型:EEPROM3000子类别:Memory & Data Storage单位重量:540 mg
一种基于轻质AlSiC平板基板(Flat Baseplate)的三相碳化硅(SiC)MOSFET智能功率模块(IPM),以满足航空和其他特殊工业应用中针对自然空气对流或背板冷却的需求。
此项高温芯片和模块技术平台亦将大力推动电动汽车动力总成系统(电机、电控及变速箱)的深度整合,以使其体积、重量及相应成本大幅降低,并实现最佳能源效率。
CISSOID的IPM技术平台可迅速适应新的电压、功率和冷却要求,极大地加速了基于SiC的功率转换器的设计,从而实现了高效率和高功率密度。
(素材来源:eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)