高压功率模块随着时间的推移而增加的导通电阻
发布时间:2021/7/13 7:27:34 访问次数:566
与硅相比，碳化硅可以实现更高的电压和更低的损耗，且被广泛视为功率器件的新一代材料。
在当前的碳化硅封装中，功率密度提高以及开关频率都会导致焊接性能劣化，很难抑制芯片中随着时间的推移而增加的导通电阻。
虽然目前主要应用于火车的逆变器上，但是很快将被广泛用于光伏发电系统和汽车设备等高压应用。
可靠性是碳化硅器件使用受限的主要问题。在高压功率模块中的应用不仅是半导体芯片，封装本身也必须具备高度的可靠性。
制造商:ON Semiconductor产品种类:MOSFET技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SO-8FL晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:40 VId-连续漏极电流:37 ARds On-漏源导通电阻:8.6 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs th-栅源极阈值电压:1.2 VQg-栅极电荷:7.3 nC最小工作温度:- 55 C最大工作温度:+ 175 CPd-功率耗散:28 W通道模式:Enhancement资格:AEC-Q101封装:Cut Tape封装:MouseReel封装:Reel配置:Single晶体管类型:1 N-Channel商标:ON Semiconductor正向跨导 - 最小值:33 S下降时间:2 ns产品类型:MOSFET上升时间:43 ns1500子类别:MOSFETs典型关闭延迟时间:11 ns典型接通延迟时间:7 ns单位重量:187 mg
暖通空调
安全系统
楼宇自动化系统
工业设备（可编程逻辑控制器、I/O接口和各种传感器控制等）
取代机械式继电器
特性：
1-Form-B
行业最高导通额定电流：ION＝1.2A
小型封装：DIP6
高额定工作温度：Topr（最大值）＝110℃
与硅相比，碳化硅可以实现更高的电压和更低的损耗，且被广泛视为功率器件的新一代材料。
在当前的碳化硅封装中，功率密度提高以及开关频率都会导致焊接性能劣化，很难抑制芯片中随着时间的推移而增加的导通电阻。
虽然目前主要应用于火车的逆变器上，但是很快将被广泛用于光伏发电系统和汽车设备等高压应用。
可靠性是碳化硅器件使用受限的主要问题。在高压功率模块中的应用不仅是半导体芯片，封装本身也必须具备高度的可靠性。
制造商:ON Semiconductor产品种类:MOSFET技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SO-8FL晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:40 VId-连续漏极电流:37 ARds On-漏源导通电阻:8.6 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs th-栅源极阈值电压:1.2 VQg-栅极电荷:7.3 nC最小工作温度:- 55 C最大工作温度:+ 175 CPd-功率耗散:28 W通道模式:Enhancement资格:AEC-Q101封装:Cut Tape封装:MouseReel封装:Reel配置:Single晶体管类型:1 N-Channel商标:ON Semiconductor正向跨导 - 最小值:33 S下降时间:2 ns产品类型:MOSFET上升时间:43 ns1500子类别:MOSFETs典型关闭延迟时间:11 ns典型接通延迟时间:7 ns单位重量:187 mg
暖通空调
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楼宇自动化系统
工业设备（可编程逻辑控制器、I/O接口和各种传感器控制等）
取代机械式继电器
特性：
1-Form-B
行业最高导通额定电流：ION＝1.2A
小型封装：DIP6
高额定工作温度：Topr（最大值）＝110℃
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