高速半桥和低速半桥两路电流或电压速率优化
发布时间:2021/7/12 21:01:58 访问次数:252
根据图腾柱开关技术中，当中包括了高速半桥和低速半桥两路，其中在高速半桥上，NCP1680 可与 NCP51820 半桥GaN高电子迁移率晶体管 (HEMT) 门极驱动器或 NCP51561 隔离型SiC MOSFET门极驱动器一起使用。
新器件适用于硅功率 MOSFET 和基于 SiC 的 MOSFET 器件的快速开关，提供短且匹配的传播延迟。
两个独立的 5 kVRMS (UL1577 级) 电隔离门极驱动器通道可用作两个下桥、两个上桥开关或一个半桥驱动器，具有可编程的死区时间。
制造商:AirBorn产品种类:矩形军用规格连接器RoHS:N产品:Connectors位置数量:300 Position排数:6 Row端接类型:Solder安装风格:PCB Mount触点类型:Socket (Female)触点电镀:TinMIL 类型:MIL-DTL-55302系列:RM安装角:Straight电流额定值:3 A外壳材料:Polyphenylene Sulfide (PPS)商标:AirBorn触点材料:Beryllium Copper节距:1.905 mm绝缘电阻:5000 MOhms最大工作温度:+ 125 C最小工作温度:- 65 C产品类型:Rectangular MIL Spec Connectors工厂包装数量:1子类别:MIL-Spec / MIL-Type商标名:R Series
系统级封装集成和栅极驱动器具备的高精度和稳定的传输延迟，可让IGI60F1414A1L提供最低的系统死区时间。
这将有助于系统效率极大化，使充电器和适配器解决方案的功率密度提升至更高水平，达到35 W/in3。灵活、简单及快速的设计特色，也适用于如 LLC 谐振拓扑结构、马达驱动器等其他应用。
(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）
根据图腾柱开关技术中，当中包括了高速半桥和低速半桥两路，其中在高速半桥上，NCP1680 可与 NCP51820 半桥GaN高电子迁移率晶体管 (HEMT) 门极驱动器或 NCP51561 隔离型SiC MOSFET门极驱动器一起使用。
新器件适用于硅功率 MOSFET 和基于 SiC 的 MOSFET 器件的快速开关，提供短且匹配的传播延迟。
两个独立的 5 kVRMS (UL1577 级) 电隔离门极驱动器通道可用作两个下桥、两个上桥开关或一个半桥驱动器，具有可编程的死区时间。
制造商:AirBorn产品种类:矩形军用规格连接器RoHS:N产品:Connectors位置数量:300 Position排数:6 Row端接类型:Solder安装风格:PCB Mount触点类型:Socket (Female)触点电镀:TinMIL 类型:MIL-DTL-55302系列:RM安装角:Straight电流额定值:3 A外壳材料:Polyphenylene Sulfide (PPS)商标:AirBorn触点材料:Beryllium Copper节距:1.905 mm绝缘电阻:5000 MOhms最大工作温度:+ 125 C最小工作温度:- 65 C产品类型:Rectangular MIL Spec Connectors工厂包装数量:1子类别:MIL-Spec / MIL-Type商标名:R Series
系统级封装集成和栅极驱动器具备的高精度和稳定的传输延迟，可让IGI60F1414A1L提供最低的系统死区时间。
这将有助于系统效率极大化，使充电器和适配器解决方案的功率密度提升至更高水平，达到35 W/in3。灵活、简单及快速的设计特色，也适用于如 LLC 谐振拓扑结构、马达驱动器等其他应用。
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