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元件ON时产生的损耗需要栅极电压高于输入电压

发布时间:2021/7/12 13:30:44 访问次数:207

MOSFET产品分为Nch与Pch两种,而高效率的Nch应用更为普遍,但在高边使用Nch MOSFET时,需要栅极电压高于输入电压,因此就存在电路结构变得更复杂的问题。

而使用Pch MOSFET则可以用低于输入电压的栅极电压进行驱动,因此可简化电路结构,同时还有助于减轻设计负担。

在这种背景下,ROHM采用第五代微米工艺,成功开发出可支持24V输入、-40V/-60V耐压的低导通电阻Pch MOSFET。

制造商:Littelfuse 产品种类:自恢复保险丝—PPTC 端接类型:SMD/SMT 保持电流:1.1 A 最大电压:33 V 跳闸电流:2.2 A 额定电流—最大值:40 A 电阻:410 mOhms 封装 / 箱体:2920 (7351 metric) 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 85 C 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 高度:1 mm 长度:6.73 mm 类型:PolyFuse Resettable PTC 宽度:4.8 mm 商标:Littelfuse 安装风格:PCB Mount 湿度敏感性:Yes Pd-功率耗散:1.5 W 产品类型:Resettable Fuses - PPTC 工厂包装数量2000 子类别:PPTC Resettable Fuses 单位重量:120 mg

晶体管等半导体元件开关时产生的损耗(开关损耗)。开通损耗是在元件ON时产生的损耗,关断损耗是在元件OFF时产生的损耗。

理想情况下,这些损耗应该为零,但实际上,由于结构上的缘故,在ON和OFF之间切换时,不可避免地会流过不必要的电流,从而产生损耗,因此对于功率半导体来说,设法减少这些损耗是非常重要的工作。

TS+系列温度传感器通常用于机械制造和工厂产线以及过程工业中。


(素材来源:eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)

MOSFET产品分为Nch与Pch两种,而高效率的Nch应用更为普遍,但在高边使用Nch MOSFET时,需要栅极电压高于输入电压,因此就存在电路结构变得更复杂的问题。

而使用Pch MOSFET则可以用低于输入电压的栅极电压进行驱动,因此可简化电路结构,同时还有助于减轻设计负担。

在这种背景下,ROHM采用第五代微米工艺,成功开发出可支持24V输入、-40V/-60V耐压的低导通电阻Pch MOSFET。

制造商:Littelfuse 产品种类:自恢复保险丝—PPTC 端接类型:SMD/SMT 保持电流:1.1 A 最大电压:33 V 跳闸电流:2.2 A 额定电流—最大值:40 A 电阻:410 mOhms 封装 / 箱体:2920 (7351 metric) 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 85 C 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 高度:1 mm 长度:6.73 mm 类型:PolyFuse Resettable PTC 宽度:4.8 mm 商标:Littelfuse 安装风格:PCB Mount 湿度敏感性:Yes Pd-功率耗散:1.5 W 产品类型:Resettable Fuses - PPTC 工厂包装数量2000 子类别:PPTC Resettable Fuses 单位重量:120 mg

晶体管等半导体元件开关时产生的损耗(开关损耗)。开通损耗是在元件ON时产生的损耗,关断损耗是在元件OFF时产生的损耗。

理想情况下,这些损耗应该为零,但实际上,由于结构上的缘故,在ON和OFF之间切换时,不可避免地会流过不必要的电流,从而产生损耗,因此对于功率半导体来说,设法减少这些损耗是非常重要的工作。

TS+系列温度传感器通常用于机械制造和工厂产线以及过程工业中。


(素材来源:eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)

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