ROHM将持续扩充封装阵容，以支持更广泛的应用。同时，还计划推进车载级产品的开发。

随着人们利用网络的“云端”工作模式和生活模式的快速发展，需要进一步丰富适用于需求日益扩大的数据中心服务器以及5G基站的产品阵容。

新产品采用ROHM第五代微米工艺技术，使栅极沟槽结构*4较ROHM以往产品更为细致精密，并提高了电流密度，从而在支持24V输入的－40V/－60V耐压Pch MOSFET领域中，实现了极为出色的单位面积低导通电阻。

制造商:Kyocera产品种类:集管和线壳产品:Wire Housings类型:Receptacle Housing位置数量:8 Position节距:2.5 mm排数:1 Row行距:-安装风格:Cable Mount / Free Hanging端接类型:-安装角:Straight触点类型:-触点电镀:-系列:最小工作温度:- 20 C最大工作温度:+ 85 C封装:Bulk触点类型:-电流额定值:-外壳材料:Thermoplastic (TP)商标:Kyocera Electronic Components触点材料:-可燃性等级:UL 94 V-0胶壳接口类型:FemaleIP 等级:-产品类型:Headers & Wire Housings1000子类别:Headers & Wire Housings

两者均为通常使用Si衬底生产的功率半导体，它们的器件结构不同。

IGBT比其他功率半导体的成本更低，但存在需要续流二极管才能工作（需要双芯片结构才能工作）、关断损耗较大的课题.

与IGBT相比，SJ-MOSFET无需续流二极管即可工作（单芯片结构即可工作），而且关断损耗较小，但存在难以应对大功率的问题。

作为一项突破,IGBT的续流二极管采用SiC SBD 而非传统的Si-FRD,推出了可以降低损耗的Hybrid IGBT。

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