使用Si衬底生产的功率半导体，它们的器件结构不同。IGBT比其他功率半导体的成本更低，但存在需要续流二极管才能工作（需要双芯片结构才能工作）、关断损耗较大的课题.

与IGBT相比，SJ-MOSFET无需续流二极管即可工作（单芯片结构即可工作），而且关断损耗较小，但存在难以应对大功率的问题。作为一项突破，IGBT的续流二极管采用SiC SBD 而非传统的Si-FRD，推出了可以降低损耗的Hybrid IGBT。

开通损耗是在元件ON时产生的损耗，关断损耗是在元件OFF时产生的损耗。

制造商: STMicroelectronics

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: SiC

安装风格: Through Hole

封装 / 箱体: HiP-247-3

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 650 V

Id-连续漏极电流: 119 A

Rds On-漏源导通电阻: 24 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 10 V, + 22 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 5 V

Qg-栅极电荷: 157 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 200 C

Pd-功率耗散: 565 W

通道模式: Enhancement

封装: Tube

晶体管类型: 1 N-Channel

商标: STMicroelectronics

下降时间: 38 ns

产品类型: MOSFET

上升时间: 16 ns

工厂包装数量: 600

子类别: MOSFETs

典型关闭延迟时间: 58 ns

典型接通延迟时间: 26 ns

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(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）