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ROHM的低损耗SiC肖特基势垒二极管四通道可变增益放大器

发布时间:2021/7/9 19:53:37 访问次数:84

四款全新高可靠性、高性能产品,以加强其传统宏基站(BTS)射频产品组合,为客户带来完整射频信号链解决方案。

此次扩展包括业界首款四通道F4482/1 TX可变增益放大器(VGA)和F011x系列双通道一级低噪声放大器(LNA)。

新系列产品还包括F1471 RF驱动放大器——首款P1dB超过1/2W的大功率前置驱动器,以及采用更小的封装、具有更高隔离度、适用于DPD反馈路径的F2934 RF开关。

制造商: Silicon Laboratories

产品种类: 射频收发器

RoHS:  详细信息

类型: Sub-GHz

频率范围: 119 MHz to 1050 MHz

最大数据速率: 1 Mb/s

调制格式: 4-FSK, 4-GFSK, ASK, FSK, GFSK, GMSK, MSK, OOK

电源电压-最小: 1.8 V

电源电压-最大: 3.6 V

接收供电电流: 10 mA, 13 mA

传输供电电流: 70 mA, 85 mA

输出功率: 20 dBm

接口类型: SPI

封装 / 箱体: QFN-20

封装: Tray

灵敏度: - 126 dBm

系列: SI4463

技术: Si

商标: Silicon Labs

安装风格: SMD/SMT

最大工作频率: 1050 MHz

产品类型: RF Transceiver

工厂包装数量: 490

子类别: Wireless & RF Integrated Circuits

商标名: EZRadioPRO

单位重量: 16.490 mg

650V耐压、内置SiC肖特基势垒二极管的IGBT(Hybrid IGBT)“RGWxx65C系列”(RGW60TS65CHR、RGW80TS65CHR、RGW00TS65CHR),且均符合汽车电子产品可靠性标准“AEC-Q101*1”。

该产品适用于以电气化车辆为首的电动汽车(xEV)中的车载充电器和DC/DC转换器、以及太阳能发电用的功率调节器等处理大功率的汽车电子设备和工业设备。

RGWxx65C系列”是Hybrid型IGBT,在IGBT*2的反馈单元(续流二极管)中采用了ROHM的低损耗SiC肖特基势垒二极管(SiC SBD),成功大幅降低以往IGBT产品导通时的开关损耗(以下称“开通损耗”*3)。

(素材来源:eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)

四款全新高可靠性、高性能产品,以加强其传统宏基站(BTS)射频产品组合,为客户带来完整射频信号链解决方案。

此次扩展包括业界首款四通道F4482/1 TX可变增益放大器(VGA)和F011x系列双通道一级低噪声放大器(LNA)。

新系列产品还包括F1471 RF驱动放大器——首款P1dB超过1/2W的大功率前置驱动器,以及采用更小的封装、具有更高隔离度、适用于DPD反馈路径的F2934 RF开关。

制造商: Silicon Laboratories

产品种类: 射频收发器

RoHS:  详细信息

类型: Sub-GHz

频率范围: 119 MHz to 1050 MHz

最大数据速率: 1 Mb/s

调制格式: 4-FSK, 4-GFSK, ASK, FSK, GFSK, GMSK, MSK, OOK

电源电压-最小: 1.8 V

电源电压-最大: 3.6 V

接收供电电流: 10 mA, 13 mA

传输供电电流: 70 mA, 85 mA

输出功率: 20 dBm

接口类型: SPI

封装 / 箱体: QFN-20

封装: Tray

灵敏度: - 126 dBm

系列: SI4463

技术: Si

商标: Silicon Labs

安装风格: SMD/SMT

最大工作频率: 1050 MHz

产品类型: RF Transceiver

工厂包装数量: 490

子类别: Wireless & RF Integrated Circuits

商标名: EZRadioPRO

单位重量: 16.490 mg

650V耐压、内置SiC肖特基势垒二极管的IGBT(Hybrid IGBT)“RGWxx65C系列”(RGW60TS65CHR、RGW80TS65CHR、RGW00TS65CHR),且均符合汽车电子产品可靠性标准“AEC-Q101*1”。

该产品适用于以电气化车辆为首的电动汽车(xEV)中的车载充电器和DC/DC转换器、以及太阳能发电用的功率调节器等处理大功率的汽车电子设备和工业设备。

RGWxx65C系列”是Hybrid型IGBT,在IGBT*2的反馈单元(续流二极管)中采用了ROHM的低损耗SiC肖特基势垒二极管(SiC SBD),成功大幅降低以往IGBT产品导通时的开关损耗(以下称“开通损耗”*3)。

(素材来源:eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)

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