新型Qspeed二极管的Qrr是次优超快速硅二极管的一半
发布时间:2021/7/8 20:02:59 访问次数:810
SC230AI/SC430AI/SC530AI作为思特威推出的高阶成像系列三款新产品.
600V 12A的Qspeed二极管，在硅二极管当中具有业界最低的反向恢复电荷(Qrr)特性。在25°C时，Qrr仅为14nC，该二极管可提高车载充电器PFC级的效率，可显著降低PFC MOSFET的温升。
通过AEC-Q101认证的QH12TZ600Q具有与碳化硅(SiC)器件相同的低开关损耗性能，可是并没有因为采用昂贵的技术而带来成本增加的缺点。
新型Qspeed二极管的Qrr是次优超快速硅二极管的一半，可实现非常高的系统效率。
制造商:ROHM Semiconductor 产品种类:双极晶体管 - 预偏置 配置:Single 晶体管极性:NPN 典型输入电阻器:1 kOhms 典型电阻器比率:0.1 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SC-59-3 直流集电极/Base Gain hfe Min:82 集电极连续电流:500 mA 峰值直流集电极电流:500 mA Pd-功率耗散:200 mW 最大工作温度:+ 150 C 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 直流电流增益 hFE 最大值:82 高度:1.1 mm 长度:2.9 mm 宽度:1.6 mm 商标:ROHM Semiconductor 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased 工厂包装数量3000 子类别:Transistors 零件号别名:DTD113ZK 单位重量:8 mg
在尺寸受限的设计中，LX2162A、LX2122A和LX2082A可实现与LX2xx0A器件相当的处理能力，但尺寸大约只有其四分之一。
LX2xx2A处理器采用了低功耗的16nm FinFET工艺技术，能够以有限的尺寸支持出色的性能，适用于网络接口卡和定制子卡等小型板卡。
这些多功能处理器可提供多达16个以太网端口、多达24个PCIe Gen4通道和24个工作频率可达25GHz的SerDes通道。
(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）
SC230AI/SC430AI/SC530AI作为思特威推出的高阶成像系列三款新产品.
600V 12A的Qspeed二极管，在硅二极管当中具有业界最低的反向恢复电荷(Qrr)特性。在25°C时，Qrr仅为14nC，该二极管可提高车载充电器PFC级的效率，可显著降低PFC MOSFET的温升。
通过AEC-Q101认证的QH12TZ600Q具有与碳化硅(SiC)器件相同的低开关损耗性能，可是并没有因为采用昂贵的技术而带来成本增加的缺点。
新型Qspeed二极管的Qrr是次优超快速硅二极管的一半，可实现非常高的系统效率。
制造商:ROHM Semiconductor 产品种类:双极晶体管 - 预偏置 配置:Single 晶体管极性:NPN 典型输入电阻器:1 kOhms 典型电阻器比率:0.1 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SC-59-3 直流集电极/Base Gain hfe Min:82 集电极连续电流:500 mA 峰值直流集电极电流:500 mA Pd-功率耗散:200 mW 最大工作温度:+ 150 C 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 直流电流增益 hFE 最大值:82 高度:1.1 mm 长度:2.9 mm 宽度:1.6 mm 商标:ROHM Semiconductor 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased 工厂包装数量3000 子类别:Transistors 零件号别名:DTD113ZK 单位重量:8 mg
在尺寸受限的设计中，LX2162A、LX2122A和LX2082A可实现与LX2xx0A器件相当的处理能力，但尺寸大约只有其四分之一。
LX2xx2A处理器采用了低功耗的16nm FinFET工艺技术，能够以有限的尺寸支持出色的性能，适用于网络接口卡和定制子卡等小型板卡。
这些多功能处理器可提供多达16个以太网端口、多达24个PCIe Gen4通道和24个工作频率可达25GHz的SerDes通道。
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