100V器件的Qrr品质因数平均比竞争对手同类产品低61%
发布时间:2021/7/8 7:21:49 访问次数:708
NextPower 80 V和100 V芯片MOSFET可以显著降低RDS(on)，前一代100 V器件为7 mΩ，而新器件只有4.3 mΩ，效率大大提高。
对于100 V器件，NextPower技术还提供44 nC的极低Qrr，有效降低了尖峰值和EMI干扰。总体而言，100 V器件的Qrr品质因数平均比竞争对手同类产品低61%。
新的80 V和100 V MOSFET采用具有高热性能和电气性能的Nexperia LFPAK56E铜夹片技术封装。器件广泛适用于开关应用，包括AC/DC、DC/DC和电机控制等。
产品种类: RS-232接口集成电路
RoHS: 详细信息
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SSOP-16
系列: MAX3221-EP
功能: Transceiver
数据速率: 250 kb/s
激励器数量: 1 Driver
接收机数量: 1 Receiver
双工: Full Duplex
电源电压-最大: 5.5 V
电源电压-最小: 3 V
工作电源电流: 1 mA
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 125 C
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
高度: 1.95 mm
长度: 6.2 mm
产品: RS-232 Transceivers
电源类型: Single Supply
宽度: 5.3 mm
商标: Texas Instruments
关闭: With Shutdown
工作电源电压: 3.3 V, 5 V
产品类型: RS-232 Interface IC
传播延迟时间: 0.15 us
工厂包装数量: 2000
子类别: Interface ICs
零件号别名: V62/06642-01XE
单位重量: 128.600 mg
MLX91218 和 MLX91219 有两个指示引脚，能显示与内外部阈值相关的过流状态，响应时间分别为 2μs 和 10μs。
凭借 300kHz 带宽和快速响应时间，MLX91218 和 MLX91219 适用于针对在高开关速度和基频下工作设计的电路，以将控制回路中的相位延迟降至最低。
(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）
NextPower 80 V和100 V芯片MOSFET可以显著降低RDS(on)，前一代100 V器件为7 mΩ，而新器件只有4.3 mΩ，效率大大提高。
对于100 V器件，NextPower技术还提供44 nC的极低Qrr，有效降低了尖峰值和EMI干扰。总体而言，100 V器件的Qrr品质因数平均比竞争对手同类产品低61%。
新的80 V和100 V MOSFET采用具有高热性能和电气性能的Nexperia LFPAK56E铜夹片技术封装。器件广泛适用于开关应用，包括AC/DC、DC/DC和电机控制等。
产品种类: RS-232接口集成电路
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电源电压-最小: 3 V
工作电源电流: 1 mA
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 125 C
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封装: MouseReel
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高度: 1.95 mm
长度: 6.2 mm
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宽度: 5.3 mm
商标: Texas Instruments
关闭: With Shutdown
工作电源电压: 3.3 V, 5 V
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传播延迟时间: 0.15 us
工厂包装数量: 2000
子类别: Interface ICs
零件号别名: V62/06642-01XE
单位重量: 128.600 mg
MLX91218 和 MLX91219 有两个指示引脚，能显示与内外部阈值相关的过流状态，响应时间分别为 2μs 和 10μs。
凭借 300kHz 带宽和快速响应时间，MLX91218 和 MLX91219 适用于针对在高开关速度和基频下工作设计的电路，以将控制回路中的相位延迟降至最低。
(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）
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