低导通电阻(RDS(on))和小巧的芯片尺寸9A灌电流峰值能力
发布时间:2021/7/4 23:30:30 访问次数:321
NCP1680采用小型SOIC-16封装，也可作为评估平台的一部分，支持快速开发和调试先进的图腾柱PFC设计。
根据图腾柱开关技术中，当中包括了高速半桥和低速半桥两路，其中在高速半桥上，NCP1680 可与 NCP51820 半桥 GaN 高电子迁移率晶体管 (HEMT) 门极驱动器或 NCP51561 隔离型 SiC MOSFET 门极驱动器一起使用。
NCP51561 是隔离型双通道门极驱动器，具有 4.5 A 源电流和 9 A 灌电流峰值能力。
制造商:Infineon产品种类:MOSFETRoHS: 技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SO-8晶体管极性:P-Channel通道数量:2 ChannelVds-漏源极击穿电压:20 VId-连续漏极电流:5.3 ARds On-漏源导通电阻:98 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 12 V, + 12 VVgs th-栅源极阈值电压:700 mVQg-栅极电荷:19 nC最小工作温度:- 55 C最大工作温度:+ 150 CPd-功率耗散:2 W通道模式:Enhancement封装:Cut Tape封装:MouseReel封装:Reel配置:Dual高度:1.75 mm长度:4.9 mm晶体管类型:2 P-Channel宽度:3.9 mm商标:Infineon / IR产品类型:MOSFET4000子类别:MOSFETs单位重量:540 mg
集成半桥BridgeSwitch™系列极大地简化高压逆变1相和3相PM或BLDC马达驱动的开发和生产.器件集成了两个高压(600V)N沟功率FREDFET,在单个小型封装内具有低边和高边驱动器.
低导通电阻 (RDS(on)) 和小巧的芯片尺寸确保低电容和门极电荷 (Qg)，以在更小的系统尺寸中提供最高的能效，从而提高功率密度。
安森美半导体已发布采用 TO-247-4L 和 D2PAK-7L 封装的 650 V SiC MOSFET，并将继续猛增该产品系列。 此外，安森美半导体提供完整的硅基 650 V SUPERFET® III MOSFET 产品组合。
(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）
NCP1680采用小型SOIC-16封装，也可作为评估平台的一部分，支持快速开发和调试先进的图腾柱PFC设计。
根据图腾柱开关技术中，当中包括了高速半桥和低速半桥两路，其中在高速半桥上，NCP1680 可与 NCP51820 半桥 GaN 高电子迁移率晶体管 (HEMT) 门极驱动器或 NCP51561 隔离型 SiC MOSFET 门极驱动器一起使用。
NCP51561 是隔离型双通道门极驱动器，具有 4.5 A 源电流和 9 A 灌电流峰值能力。
制造商:Infineon产品种类:MOSFETRoHS: 技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SO-8晶体管极性:P-Channel通道数量:2 ChannelVds-漏源极击穿电压:20 VId-连续漏极电流:5.3 ARds On-漏源导通电阻:98 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 12 V, + 12 VVgs th-栅源极阈值电压:700 mVQg-栅极电荷:19 nC最小工作温度:- 55 C最大工作温度:+ 150 CPd-功率耗散:2 W通道模式:Enhancement封装:Cut Tape封装:MouseReel封装:Reel配置:Dual高度:1.75 mm长度:4.9 mm晶体管类型:2 P-Channel宽度:3.9 mm商标:Infineon / IR产品类型:MOSFET4000子类别:MOSFETs单位重量:540 mg
集成半桥BridgeSwitch™系列极大地简化高压逆变1相和3相PM或BLDC马达驱动的开发和生产.器件集成了两个高压(600V)N沟功率FREDFET,在单个小型封装内具有低边和高边驱动器.
低导通电阻 (RDS(on)) 和小巧的芯片尺寸确保低电容和门极电荷 (Qg)，以在更小的系统尺寸中提供最高的能效，从而提高功率密度。
安森美半导体已发布采用 TO-247-4L 和 D2PAK-7L 封装的 650 V SiC MOSFET，并将继续猛增该产品系列。 此外，安森美半导体提供完整的硅基 650 V SUPERFET® III MOSFET 产品组合。
(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）
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