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内部集成的无损耗电流检测图形加速器或四个无刷DC马达

发布时间:2021/7/1 8:03:45 访问次数:832

新产品系列应用各类新的设计,匹配现代应用发展,其中有,先进的网络安全功能,支持PSA和SESIP(物联网平台安全评估标准) 3级保证标准的安全硬件,还有图形加速器可实现功能丰富的图形用户界面提升用户体验。

ST微控制器全球份额几乎翻了一倍,STM32超低功耗微控制器出货量迄今超过20亿。

ST凭借丰富的低功耗技术储备和对低功耗市场的专注,让我们在超低功耗微控制器类别具有很强的优势,并占有约25%的市场份额。

制造商:STMicroelectronics产品种类:ARM微控制器 - MCURoHS: 详细信息系列:STM32L151RD安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:LQFP-64核心:ARM Cortex M3程序存储器大小:384 kB数据总线宽度:32 bitADC分辨率:12 bit最大时钟频率:32 MHz输入/输出端数量:51 I/O数据 RAM 大小:48 kB工作电源电压:1.8 V to 3.6 V最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 C封装:Tray程序存储器类型:Flash商标:STMicroelectronics数据 Ram 类型:SRAM接口类型:I2C, SDO, SPI, USART, USB模拟电源电压:1.65 V to 3.6 VI/O 电压:1.65 V to 3.6 V湿度敏感性:YesADC通道数量:21 Channel计时器/计数器数量:9 Timer处理器系列:STM32L1产品类型:ARM Microcontrollers - MCU工厂包装数量:960子类别:Microcontrollers - MCU电源电压-最大:3.6 V电源电压-最小:1.65 V商标名:STM32单位重量:342.700 mg

一对半桥可以并行以加倍驱动电流或配置成全桥,驱动多达四个锁紧阀(双稳态阀)或四个无刷DC马达.器件支持两种控制方法:电压驱动调节(VDR)和电流驱动调节(CDR).

故障指示引脚(FAULT)信号故障事件和诊断信息存储在FAULT寄存器.

在VDR,器件输出PWM电压,其占空比采用SPI编程.对已知电源电压和螺线管电阻,输出电流正比于可编程的占空比。

在CDR,内部集成的无损耗电流检测(ICS)电路检测输出电流,并和内部可编基准电流进行比较.

(素材来源:eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)


新产品系列应用各类新的设计,匹配现代应用发展,其中有,先进的网络安全功能,支持PSA和SESIP(物联网平台安全评估标准) 3级保证标准的安全硬件,还有图形加速器可实现功能丰富的图形用户界面提升用户体验。

ST微控制器全球份额几乎翻了一倍,STM32超低功耗微控制器出货量迄今超过20亿。

ST凭借丰富的低功耗技术储备和对低功耗市场的专注,让我们在超低功耗微控制器类别具有很强的优势,并占有约25%的市场份额。

制造商:STMicroelectronics产品种类:ARM微控制器 - MCURoHS: 详细信息系列:STM32L151RD安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:LQFP-64核心:ARM Cortex M3程序存储器大小:384 kB数据总线宽度:32 bitADC分辨率:12 bit最大时钟频率:32 MHz输入/输出端数量:51 I/O数据 RAM 大小:48 kB工作电源电压:1.8 V to 3.6 V最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 C封装:Tray程序存储器类型:Flash商标:STMicroelectronics数据 Ram 类型:SRAM接口类型:I2C, SDO, SPI, USART, USB模拟电源电压:1.65 V to 3.6 VI/O 电压:1.65 V to 3.6 V湿度敏感性:YesADC通道数量:21 Channel计时器/计数器数量:9 Timer处理器系列:STM32L1产品类型:ARM Microcontrollers - MCU工厂包装数量:960子类别:Microcontrollers - MCU电源电压-最大:3.6 V电源电压-最小:1.65 V商标名:STM32单位重量:342.700 mg

一对半桥可以并行以加倍驱动电流或配置成全桥,驱动多达四个锁紧阀(双稳态阀)或四个无刷DC马达.器件支持两种控制方法:电压驱动调节(VDR)和电流驱动调节(CDR).

故障指示引脚(FAULT)信号故障事件和诊断信息存储在FAULT寄存器.

在VDR,器件输出PWM电压,其占空比采用SPI编程.对已知电源电压和螺线管电阻,输出电流正比于可编程的占空比。

在CDR,内部集成的无损耗电流检测(ICS)电路检测输出电流,并和内部可编基准电流进行比较.

(素材来源:eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)


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