测试实例采用了Intel AlderLake-S ADP-S CRB开发板，搭配Longsys DDR5 32GB 4800内存模组，并配置Windows 10 Pro x64操作系统，分别通过鲁大师和AIDA64两个熟知的软件展示DDR5的真实数据。

Primo Twin-Star®设备已在各类前道/后道制程、用于功率器件和CIS应用的深沟槽隔离刻蚀（DTI）中表现出卓越的性能。通过提供兼具这些优异性能和高性价比的解决方案，我们不仅帮助客户解决了技术难题，同时最大程度地提升了其投资效益。

制造商:Cypress Semiconductor 产品种类:NOR闪存 RoHS: 详细信息 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-56 系列:S29GL128S 存储容量:128 Mbit 电源电压-最小:2.7 V 电源电压-最大:3.6 V 有源读取电流（最大值）:60 mA 接口类型:Parallel 组织:8 M x 16 数据总线宽度:16 bit 定时类型:Asynchronous 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 85 C 封装:Tray 存储类型:NOR 速度:90 ns 结构:Sector 商标:Cypress / Spansion 电源电流—最大值:60 mA 湿度敏感性:Yes 产品类型:NOR Flash 工厂包装数量:91 子类别:Memory & Data Storage 商标名:MirrorBit 单位重量:8.823 g

它的创新设计包括：Primo Twin-Star®使用了双反应台腔体设计和低电容耦合3D线圈设计，创新的反应腔设计可最大程度减弱非中心对称抽气口效应，通过采用多区温控静电吸盘（ESC）增强了对关键尺寸均匀性和重复性的控制。

凭借这些优异的性能和其他特性，与其他同类设备相比，Primo Twin-Star® 以更小的占地面积、更低的生产成本和更高的输出效率，进行ICP适用的逻辑和存储芯片的介质和导体的各种刻蚀应用，并用于功率器件和CMOS图像传感器（CIS）的刻蚀应用。

(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）