20V的boost输出电压采用电感器DCR监控功耗的解决方案
发布时间:2021/6/30 22:20:08 访问次数:995
MAX17291可提供高达20V的boost输出电压,与最接近的竞争方案相比,静态电流降低80%,方案尺寸减小60%。
该升压转换器非常适合负载(例如显示器或传感器)要求较高供电电压的电池供电系统。
MAX38911与最接近的竞争方案相比,MAX38911 500mA LDO的尺寸减小高达50%,适用于电池供电IoT系统,空闲模式下的耗流仅为19μA,将电池寿命延长高达10%。
器件具有业界最佳电源抑制比(PSRR),比最接近的竞争产品改善16dB,有助于避免关键功能(例如高精度测量和通信电路)受嘈杂电源的干扰。
产品种类: 缓冲器和线路驱动器
RoHS: 详细信息
输入线路数量: 8 Input
输出线路数量: 3 Output
极性: Inverting
高电平输出电流: - 32 mA
低电平输出电流: 64 mA
电源电压-最大: 5.25 V
电源电压-最小: 4.75 V
工作电源电流: 200 nA
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 85 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: QSOP-20
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
功能: Buffer/Line Driver
高度: 1.5 mm
长度: 8.75 mm
工作温度范围: - 40 C to + 85 C
输出类型: 3-State
系列: CY74FCT240T
技术: CMOS
宽度: 4 mm
商标: Texas Instruments
逻辑系列: FCT
逻辑类型: CMOS
通道数量: 8
输入信号类型: Single-Ended
湿度敏感性: Yes
工作电源电压: 4.75 V to 5.25 V
产品类型: Buffers & Line Drivers
传播延迟时间: 4.8 ns at 5 V
工厂包装数量: 2500
子类别: Logic ICs
单位重量: 125.800 mg
SiC8xx智能功率模块各种应用条件下峰值能效可达93 %以上。轻载时可启用二极管仿真模式,提高全负载范围的效率。
采用电感器DCR监控功耗的解决方案,电流报告精度为7 %,而SiC8xx系列器件采用低边MOSFET进行检测,精度误差小于3 %。
从而有助于提高Intel、Advanced Micro Devices, Inc.和 Nvidia Corporation等公司大电流处理器和片上系统(SoC)性能,改进热管理。
MAX17291可提供高达20V的boost输出电压,与最接近的竞争方案相比,静态电流降低80%,方案尺寸减小60%。
该升压转换器非常适合负载(例如显示器或传感器)要求较高供电电压的电池供电系统。
MAX38911与最接近的竞争方案相比,MAX38911 500mA LDO的尺寸减小高达50%,适用于电池供电IoT系统,空闲模式下的耗流仅为19μA,将电池寿命延长高达10%。
器件具有业界最佳电源抑制比(PSRR),比最接近的竞争产品改善16dB,有助于避免关键功能(例如高精度测量和通信电路)受嘈杂电源的干扰。
产品种类: 缓冲器和线路驱动器
RoHS: 详细信息
输入线路数量: 8 Input
输出线路数量: 3 Output
极性: Inverting
高电平输出电流: - 32 mA
低电平输出电流: 64 mA
电源电压-最大: 5.25 V
电源电压-最小: 4.75 V
工作电源电流: 200 nA
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 85 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: QSOP-20
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
功能: Buffer/Line Driver
高度: 1.5 mm
长度: 8.75 mm
工作温度范围: - 40 C to + 85 C
输出类型: 3-State
系列: CY74FCT240T
技术: CMOS
宽度: 4 mm
商标: Texas Instruments
逻辑系列: FCT
逻辑类型: CMOS
通道数量: 8
输入信号类型: Single-Ended
湿度敏感性: Yes
工作电源电压: 4.75 V to 5.25 V
产品类型: Buffers & Line Drivers
传播延迟时间: 4.8 ns at 5 V
工厂包装数量: 2500
子类别: Logic ICs
单位重量: 125.800 mg
SiC8xx智能功率模块各种应用条件下峰值能效可达93 %以上。轻载时可启用二极管仿真模式,提高全负载范围的效率。
采用电感器DCR监控功耗的解决方案,电流报告精度为7 %,而SiC8xx系列器件采用低边MOSFET进行检测,精度误差小于3 %。
从而有助于提高Intel、Advanced Micro Devices, Inc.和 Nvidia Corporation等公司大电流处理器和片上系统(SoC)性能,改进热管理。