集成的功率GaN具有650V漏源阻隔电压和225 mΩ的RDS(ON)
发布时间:2021/6/30 19:10:28 访问次数:165
MASTERGAN4是先进的系统级封装(SiP),集成了栅极驱动器和两个半桥配置的增强型氮化镓(GaN)功率晶体管.集成的功率GaN具有650V漏-源阻隔电压和225 mΩ的RDS(ON), IDS(MAX)为 6.5 A而嵌入的高边栅极驱动器能和容易由集成的自举二极管供电.
MASTERGAN4在低压和高压驱动部分有UVLO保护,以防止功率开关工作在低效力或危险状态,而它的互锁功能避免了交叉导通条件.
主要用在开关电源,充电器和适配器以及高压PFC,DC/DC转换器和DC/AC转换器.
制造商:Texas Instruments 产品种类:运算放大器 - 运放 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 每个通道的输出电流:140 mA Vos - 输入偏置电压 :7 mV 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 85 C Ib - 输入偏流:12 uA 工作电源电流:6.5 mA CMRR - 共模抑制比:105 dB 系列: 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 特点:Decompensated 高度:1.45 mm 长度:4.9 mm 产品:Operational Amplifiers 电源类型:Single, Dual 技术:BiCOM 宽度:3.9 mm 商标:Texas Instruments 双重电源电压:+/- 3 V, +/- 5 V, +/- 9 V, +/- 12 V, +/- 15 V In—输入噪声电流密度:1.8 pA/sqrt Hz 最大双重电源电压:+/- 18 V 最小双重电源电压:+/- 2.75 V 工作电源电压:9 V, 12 V, 15 V, 18 V, 24 V, 28 V 产品类型:Op Amps - Operational Amplifiers PSRR - 电源抑制比:75 dB 2500 子类别:Amplifier ICs 电压增益 dB:78 dB 单位重量:187 mg
MAX16550的保护电流30A,30A的高密度尺寸为4mmx4.5mm,比通常解决方案板面积要小25%,具有电源,控制和监视单片集成.
集成的功率MOSFET在12V电源通路中的RDS(ON)为1.9mΩ.
同时内部的LDO还提供了保护IC的电源.器件具有可编程软起动和延迟,可编输入欠压锁住阈值(UVLO),可编程的电源良好阈值,以及用于输出UVLO/输入UVLO报告的PWRGD引脚,而用于故障报告的FAULT引脚.主要用在服务器,网络,存储,通信设备和AC/DC电源.
(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）
MASTERGAN4是先进的系统级封装(SiP),集成了栅极驱动器和两个半桥配置的增强型氮化镓(GaN)功率晶体管.集成的功率GaN具有650V漏-源阻隔电压和225 mΩ的RDS(ON), IDS(MAX)为 6.5 A而嵌入的高边栅极驱动器能和容易由集成的自举二极管供电.
MASTERGAN4在低压和高压驱动部分有UVLO保护,以防止功率开关工作在低效力或危险状态,而它的互锁功能避免了交叉导通条件.
主要用在开关电源,充电器和适配器以及高压PFC,DC/DC转换器和DC/AC转换器.
制造商:Texas Instruments 产品种类:运算放大器 - 运放 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 每个通道的输出电流:140 mA Vos - 输入偏置电压 :7 mV 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 85 C Ib - 输入偏流:12 uA 工作电源电流:6.5 mA CMRR - 共模抑制比:105 dB 系列: 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 特点:Decompensated 高度:1.45 mm 长度:4.9 mm 产品:Operational Amplifiers 电源类型:Single, Dual 技术:BiCOM 宽度:3.9 mm 商标:Texas Instruments 双重电源电压:+/- 3 V, +/- 5 V, +/- 9 V, +/- 12 V, +/- 15 V In—输入噪声电流密度:1.8 pA/sqrt Hz 最大双重电源电压:+/- 18 V 最小双重电源电压:+/- 2.75 V 工作电源电压:9 V, 12 V, 15 V, 18 V, 24 V, 28 V 产品类型:Op Amps - Operational Amplifiers PSRR - 电源抑制比:75 dB 2500 子类别:Amplifier ICs 电压增益 dB:78 dB 单位重量:187 mg
MAX16550的保护电流30A,30A的高密度尺寸为4mmx4.5mm,比通常解决方案板面积要小25%,具有电源,控制和监视单片集成.
集成的功率MOSFET在12V电源通路中的RDS(ON)为1.9mΩ.
同时内部的LDO还提供了保护IC的电源.器件具有可编程软起动和延迟,可编输入欠压锁住阈值(UVLO),可编程的电源良好阈值,以及用于输出UVLO/输入UVLO报告的PWRGD引脚,而用于故障报告的FAULT引脚.主要用在服务器,网络,存储,通信设备和AC/DC电源.
(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）
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