新一代nvSRAM扩展了英飞凌在电荷阱型存储器的异步SRAM
发布时间:2021/6/27 23:17:39 访问次数:98
256 Kb STK14C88C和1 Mb STK14CA8C nvSRAM采用32引脚300mil双列直插式陶瓷封装,符合MIL-PRF-38535 QML-Q规格(-55°C至125°C)和英飞凌的工业标准(-40 °C至85°C)。
“S-5701 B系列”是一种TMR传感器IC。
5 V和3 V版本均支持用于航天、通信和导航系统以及工业高炉和铁路控制系统的引导代码、数据记录和校准数据存储。英飞凌还提供晶圆销售,以支持封装系统。
新一代nvSRAM扩展了英飞凌在电荷阱型存储器领域的领导地位。
制造商:Silicon Laboratories 产品种类:8位微控制器 -MCU 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-28 程序存储器大小:16 kB 数据总线宽度:8 bit ADC分辨率:10 bit 最大时钟频率:25 MHz 输入/输出端数量:21 I/O 数据 RAM 大小:2.25 kB 工作电源电压:3 V 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 85 C 封装:Cut Tape 封装:Reel 高度:0.84 mm 长度:5 mm 程序存储器类型:Flash 宽度:5 mm 商标:Silicon Labs 接口类型:I2C, SMBus, SPI, UART, USB 湿度敏感性:Yes 计时器/计数器数量:4 Timer 处理器系列:C8051 产品类型:8-bit Microcontrollers - MCU 工厂包装数量1500 子类别:Microcontrollers - MCU 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.7 V 单位重量:67.750 mg
nvSRAM系列中新增的这些符合QML-Q规范的高可靠性工业用器件证明了我们致力于为需要高性能、高可靠性存储器的恶劣工作环境提供解决方案。
英飞凌的nvSRAM技术将高性能SRAM与一流的SONOS非易失性技术相结合。在正常工作条件下,nvSRAM的作用类似于传统的异步SRAM。
断电时,nvSRAM会自动将SRAM数据的副本保存到非易失性存储器中,该数据的保护期限超过20年。英飞凌已交付超过20亿颗基于SONOS的非易失性嵌入式或独立存储器。
(素材来源:ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)
256 Kb STK14C88C和1 Mb STK14CA8C nvSRAM采用32引脚300mil双列直插式陶瓷封装,符合MIL-PRF-38535 QML-Q规格(-55°C至125°C)和英飞凌的工业标准(-40 °C至85°C)。
“S-5701 B系列”是一种TMR传感器IC。
5 V和3 V版本均支持用于航天、通信和导航系统以及工业高炉和铁路控制系统的引导代码、数据记录和校准数据存储。英飞凌还提供晶圆销售,以支持封装系统。
新一代nvSRAM扩展了英飞凌在电荷阱型存储器领域的领导地位。
制造商:Silicon Laboratories 产品种类:8位微控制器 -MCU 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-28 程序存储器大小:16 kB 数据总线宽度:8 bit ADC分辨率:10 bit 最大时钟频率:25 MHz 输入/输出端数量:21 I/O 数据 RAM 大小:2.25 kB 工作电源电压:3 V 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 85 C 封装:Cut Tape 封装:Reel 高度:0.84 mm 长度:5 mm 程序存储器类型:Flash 宽度:5 mm 商标:Silicon Labs 接口类型:I2C, SMBus, SPI, UART, USB 湿度敏感性:Yes 计时器/计数器数量:4 Timer 处理器系列:C8051 产品类型:8-bit Microcontrollers - MCU 工厂包装数量1500 子类别:Microcontrollers - MCU 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.7 V 单位重量:67.750 mg
nvSRAM系列中新增的这些符合QML-Q规范的高可靠性工业用器件证明了我们致力于为需要高性能、高可靠性存储器的恶劣工作环境提供解决方案。
英飞凌的nvSRAM技术将高性能SRAM与一流的SONOS非易失性技术相结合。在正常工作条件下,nvSRAM的作用类似于传统的异步SRAM。
断电时,nvSRAM会自动将SRAM数据的副本保存到非易失性存储器中,该数据的保护期限超过20年。英飞凌已交付超过20亿颗基于SONOS的非易失性嵌入式或独立存储器。
(素材来源:ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)