普通的耐压200V以下的GaN器件的栅极驱动电压为5V
发布时间:2021/6/27 22:12:44 访问次数:587
普通的耐压200V以下的GaN器件的栅极驱动电压为5V，而其栅极-源极间额定电压为6V，其电压裕度非常小，只有1V。
针对这种课题，ROHM通过采用自有的结构，成功地将栅极-源极间的额定电压从常规的6V提高到了业内超高的8V。
这使器件工作时的电压裕度达到普通产品的三倍，在开关工作过程中即使产生了超过6V的过冲电压，器件也不会劣化，从而有助于提高电源电路的可靠性。
制造商:STMicroelectronics产品种类:ARM微控制器 - MCURoHS: 系列:安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:WLCSP-64核心:程序存储器大小:512 kB数据总线宽度:32 bit最大时钟频率:120 MHz数据 RAM 大小:128 kB工作电源电压:1.8 V to 3.6 V最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 C封装:Cut Tape封装:MouseReel封装:Reel程序存储器类型:Flash商标:STMicroelectronics数据 Ram 类型:SRAM数据 ROM 大小:512 B处理器系列:ARM Cortex M产品类型:ARM Microcontrollers - MCU3000子类别:Microcontrollers - MCU电源电压-最大:3.6 V电源电压-最小:1.8 V商标名:单位重量:17 mg
此外，RX23W还拥有丰富的外设，包括触摸键、USB和CAN等IoT设备不可或缺的功能。
随着物联网设备的开发周期越来越短，开发压力也越来越大。在备受广大客户青睐的RX MCU推出十周年之际，瑞萨推出了首款基于RX的蓝牙通信模块，帮助客户提高产品开发效率。
RX23W模块可与瑞萨模拟和电源产品相结合，开发适用于各类应用的全面解决方案。
(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）
普通的耐压200V以下的GaN器件的栅极驱动电压为5V，而其栅极-源极间额定电压为6V，其电压裕度非常小，只有1V。
针对这种课题，ROHM通过采用自有的结构，成功地将栅极-源极间的额定电压从常规的6V提高到了业内超高的8V。
这使器件工作时的电压裕度达到普通产品的三倍，在开关工作过程中即使产生了超过6V的过冲电压，器件也不会劣化，从而有助于提高电源电路的可靠性。
制造商:STMicroelectronics产品种类:ARM微控制器 - MCURoHS: 系列:安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:WLCSP-64核心:程序存储器大小:512 kB数据总线宽度:32 bit最大时钟频率:120 MHz数据 RAM 大小:128 kB工作电源电压:1.8 V to 3.6 V最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 C封装:Cut Tape封装:MouseReel封装:Reel程序存储器类型:Flash商标:STMicroelectronics数据 Ram 类型:SRAM数据 ROM 大小:512 B处理器系列:ARM Cortex M产品类型:ARM Microcontrollers - MCU3000子类别:Microcontrollers - MCU电源电压-最大:3.6 V电源电压-最小:1.8 V商标名:单位重量:17 mg
此外，RX23W还拥有丰富的外设，包括触摸键、USB和CAN等IoT设备不可或缺的功能。
随着物联网设备的开发周期越来越短，开发压力也越来越大。在备受广大客户青睐的RX MCU推出十周年之际，瑞萨推出了首款基于RX的蓝牙通信模块，帮助客户提高产品开发效率。
RX23W模块可与瑞萨模拟和电源产品相结合，开发适用于各类应用的全面解决方案。
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