单片微波集成电路对耐温要求较高的电磁干扰抑制且功耗更少
发布时间:2021/6/27 17:28:06 访问次数:169
多极碳化硅基氮化镓(GaN-on-SiC)单片微波集成电路(MMIC)器件,进一步扩展射频(RF)解决方案范围,适用于包括海事、气象监测和新兴的无人机系统雷达等在内的脉冲和连续波 X-波段相控阵应用。
通过采用 Wolfspeed GaN-on-SiC 技术,这些新型器件能够在小型且行业标准封装内提供高功率附加效率(PAE),从而助力设计人员能够在更小型的系统中实现性能的最大化,且功耗更少。
它们包括了不同的功率等级以优化系统性能,并提供多种平台以优化系统架构。
制造商: Texas Instruments
产品种类: 模数转换器 - ADC
RoHS: 详细信息
系列: ADS7953
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TSSOP-38
分辨率: 12 bit
通道数量: 16 Channel
接口类型: SPI
采样比: 1 MS/s
输入类型: Single-Ended
结构: SAR
模拟电源电压: 2.7 V to 5.25 V
数字电源电压: 1.7 V to 5.25 V
SNR – 信噪比: 71.7 dB
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 125 C
封装: Tube
高度: 1.15 mm
长度: 9.7 mm
转换器数量: 1 Converter
功耗: 11.5 mW
宽度: 4.4 mm
商标: Texas Instruments
参考类型: External
DNL - 微分非线性: - 2 /1.5 LSB
INL - 积分非线性: +/- 1.5 LSB
湿度敏感性: Yes
工作电源电压: 2.7 V to 5.25 V
产品类型: ADCs - Analog to Digital Converters
SINAD - 信噪和失真率: 71.3 dB
工厂包装数量: 50
子类别: Data Converter ICs
单位重量: 124 mg
主要应用
对耐温要求较高的电磁干扰抑制,比如:汽车电子应用
主要特点和优势
更高的工作温度:最高达125 °C
较宽的电容范围:0.033 μF 至 5.6 μF
经过UL和EN认证,满足AEC-Q200标准要求
(素材来源:ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)
多极碳化硅基氮化镓(GaN-on-SiC)单片微波集成电路(MMIC)器件,进一步扩展射频(RF)解决方案范围,适用于包括海事、气象监测和新兴的无人机系统雷达等在内的脉冲和连续波 X-波段相控阵应用。
通过采用 Wolfspeed GaN-on-SiC 技术,这些新型器件能够在小型且行业标准封装内提供高功率附加效率(PAE),从而助力设计人员能够在更小型的系统中实现性能的最大化,且功耗更少。
它们包括了不同的功率等级以优化系统性能,并提供多种平台以优化系统架构。
制造商: Texas Instruments
产品种类: 模数转换器 - ADC
RoHS: 详细信息
系列: ADS7953
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TSSOP-38
分辨率: 12 bit
通道数量: 16 Channel
接口类型: SPI
采样比: 1 MS/s
输入类型: Single-Ended
结构: SAR
模拟电源电压: 2.7 V to 5.25 V
数字电源电压: 1.7 V to 5.25 V
SNR – 信噪比: 71.7 dB
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 125 C
封装: Tube
高度: 1.15 mm
长度: 9.7 mm
转换器数量: 1 Converter
功耗: 11.5 mW
宽度: 4.4 mm
商标: Texas Instruments
参考类型: External
DNL - 微分非线性: - 2 /1.5 LSB
INL - 积分非线性: +/- 1.5 LSB
湿度敏感性: Yes
工作电源电压: 2.7 V to 5.25 V
产品类型: ADCs - Analog to Digital Converters
SINAD - 信噪和失真率: 71.3 dB
工厂包装数量: 50
子类别: Data Converter ICs
单位重量: 124 mg
主要应用
对耐温要求较高的电磁干扰抑制,比如:汽车电子应用
主要特点和优势
更高的工作温度:最高达125 °C
较宽的电容范围:0.033 μF 至 5.6 μF
经过UL和EN认证,满足AEC-Q200标准要求
(素材来源:ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)