新型TVS二极管的设计工作电压5V响应电压6.8V
发布时间:2021/6/26 12:21:01 访问次数:1195
10款适用于工业设备开关电源的新一代80 V N沟道功率MOSFET“U-MOSⅩ-H系列”产品。
共提供三种类型的封装： “TK2R4E08QM、TK3R3E08QM、 TK5R3E08QM 和 TK7R0E08QM” 采用双列直插式封装TO-220； “TK2R4A08QM、 TK3R2A08QM、 TK5R1A08QM 和 TK6R8A08QM” 采用绝缘型直插式封装TO-220SIS；以及“TK5R1P08QM 和 TK6R9P08QM”采用贴片式封装DPAK。
此外，它们继承了现有工艺U-MOSVIII-H的低栅极开关电荷特性。这降低了漏源导通电阻x栅极开关电荷[2]的值（开关应用的品质因数）。
超小型的高功率TVS(瞬态抑制)二极管，进一步扩展了I/O接口的双向过压保护元件的产品组合。
新元件采用芯片级封装，尺寸仅为400 x 200μm2(CSP01005) 或 600 x 300μm2(CSP0201), 封装高度也极低，仅为100μm。
新型TVS二极管的设计工作电压为5V，响应电压为6.8 V。
在不同的峰值脉冲电流条件下，两款新元件的端接电压也不相同：当峰值脉冲电流为8 A时，钳位电压为7.2 V.
(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）
10款适用于工业设备开关电源的新一代80 V N沟道功率MOSFET“U-MOSⅩ-H系列”产品。
共提供三种类型的封装： “TK2R4E08QM、TK3R3E08QM、 TK5R3E08QM 和 TK7R0E08QM” 采用双列直插式封装TO-220； “TK2R4A08QM、 TK3R2A08QM、 TK5R1A08QM 和 TK6R8A08QM” 采用绝缘型直插式封装TO-220SIS；以及“TK5R1P08QM 和 TK6R9P08QM”采用贴片式封装DPAK。
此外，它们继承了现有工艺U-MOSVIII-H的低栅极开关电荷特性。这降低了漏源导通电阻x栅极开关电荷[2]的值（开关应用的品质因数）。
超小型的高功率TVS(瞬态抑制)二极管，进一步扩展了I/O接口的双向过压保护元件的产品组合。
新元件采用芯片级封装，尺寸仅为400 x 200μm2(CSP01005) 或 600 x 300μm2(CSP0201), 封装高度也极低，仅为100μm。
新型TVS二极管的设计工作电压为5V，响应电压为6.8 V。
在不同的峰值脉冲电流条件下，两款新元件的端接电压也不相同：当峰值脉冲电流为8 A时，钳位电压为7.2 V.
(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）
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