BiCDMOS高耐压工艺实现了业内超高的80V耐压等级
发布时间:2021/6/24 20:51:14 访问次数:625
BD9G500EFJ-LA采用BiCDMOS高耐压工艺,在内置高边MOSFET(非同步整流型*4)的非隔离型DC/DC转换器IC中,实现了业内超高的80V耐压等级,从而可以使安全工作范围更宽。
与同等输出电流的普通产品相比,耐压成功地提高了约20%,不仅在5G通信基站和服务器等的48V主电源系统中,而且在电池日益大型化的电动自行车和电动工具的60V电源系统中,都拥有足够的余量应对突发性的浪涌电压,因此有助于提高应用产品的可靠性。
制造商: Analog Devices Inc.
产品种类: 加速计
RoHS: 详细信息
传感器类型: 3-axis
传感轴: X, Y, Z
加速: 1.5 g, 3 g, 6 g, 12 g
输出类型: Digital
接口类型: SPI
分辨率: 16 bit
电源电压-最大: 3.6 V
电源电压-最小: 2 V
工作电源电流: 170 uA
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 105 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: LFCSP-32
资格: AEC-Q100
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
系列: ADXL312
类型: 3-Axis Digital Accelerometer
商标: Analog Devices
湿度敏感性: Yes
产品类型: Accelerometers
工厂包装数量: 4000
子类别: Sensors
单位重量: 263.730 mg
CR-M8易于访问和使用,其紧凑的尺寸和便携性使其可以按需自由移动。例如,在不同的研发实验室或在生产中进行天线评估检查。这种低调的多合一紧凑型产品系列可帮助客户节省在测试实验室中的占地空间。
作为MVG Little Big Labs小体积、大性能产品组合的一部分,CR-M8是MVG测量系统的最新产品,可为市场上的高频应用提供快速、准确的间接远场测量结果。
两款新产品采用电源系统中的BiCDMOS高耐压工艺,并利用ROHM擅长的模拟设计技术开发而成,是内置MOSFET的非隔离型DC/DC转换器IC。
BD9G500EFJ-LA采用BiCDMOS高耐压工艺,在内置高边MOSFET(非同步整流型*4)的非隔离型DC/DC转换器IC中,实现了业内超高的80V耐压等级,从而可以使安全工作范围更宽。
与同等输出电流的普通产品相比,耐压成功地提高了约20%,不仅在5G通信基站和服务器等的48V主电源系统中,而且在电池日益大型化的电动自行车和电动工具的60V电源系统中,都拥有足够的余量应对突发性的浪涌电压,因此有助于提高应用产品的可靠性。
制造商: Analog Devices Inc.
产品种类: 加速计
RoHS: 详细信息
传感器类型: 3-axis
传感轴: X, Y, Z
加速: 1.5 g, 3 g, 6 g, 12 g
输出类型: Digital
接口类型: SPI
分辨率: 16 bit
电源电压-最大: 3.6 V
电源电压-最小: 2 V
工作电源电流: 170 uA
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 105 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: LFCSP-32
资格: AEC-Q100
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
系列: ADXL312
类型: 3-Axis Digital Accelerometer
商标: Analog Devices
湿度敏感性: Yes
产品类型: Accelerometers
工厂包装数量: 4000
子类别: Sensors
单位重量: 263.730 mg
CR-M8易于访问和使用,其紧凑的尺寸和便携性使其可以按需自由移动。例如,在不同的研发实验室或在生产中进行天线评估检查。这种低调的多合一紧凑型产品系列可帮助客户节省在测试实验室中的占地空间。
作为MVG Little Big Labs小体积、大性能产品组合的一部分,CR-M8是MVG测量系统的最新产品,可为市场上的高频应用提供快速、准确的间接远场测量结果。
两款新产品采用电源系统中的BiCDMOS高耐压工艺,并利用ROHM擅长的模拟设计技术开发而成,是内置MOSFET的非隔离型DC/DC转换器IC。