TLP3910的最小开路电压是14V是TLP3906的两倍
发布时间:2021/6/23 23:47:19 访问次数:677
两款红外LED(IRED):SFH4171S和SFH4181S。
SFH4171S和SFH4181S支持在笔记本电脑上采用生物识别技术;
通过该两款紧凑型IRED,艾迈斯半导体与欧司朗扩展了面部识别产品组合;
尺寸小巧支持笔记本电脑显示器采用超窄边框设计。
该两款产品具有尺寸超小的明显优势,可实现笔记本电脑的超窄边框设计,这也是当前笔记本电脑的流行趋势。
制造商: Texas Instruments
产品种类: 仪表放大器
RoHS: 详细信息
系列: INA111
通道数量: 1 Channel
3dB带宽: 450 kHz
CMRR - 共模抑制比: 106 dB
Ib - 输入偏流: 20 pA
Vos - 输入偏置电压 : 500 uV
电源电压-最大: 36 V
电源电压-最小: 12 V
工作电源电流: 3.3 mA
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 85 C
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: PDIP-8
封装: Tube
放大器类型: Instrumentation Amplifier
高度: 4.57 mm
长度: 9.81 mm
产品: Instrumentation Amplifiers
宽度: 6.35 mm
商标: Texas Instruments
双重电源电压: +/- 15 V
en - 输入电压噪声密度: 10 nV/sqrt Hz
增益误差: 0.005 %
增益V/V: 1 V/V to 1000 V/V
GBP-增益带宽产品: 2 MHz
INL - 积分非线性: 0.005 %
最大输入电阻: 10 TOhms
工作电源电压: 12 V to 36 V
产品类型: Instrumentation Amplifiers
工厂包装数量: 50
子类别: Amplifier ICs
单位重量: 528.600 mg

在驱动栅压不低于10V的高压功率MOSFET时,需要串联两个东芝的现有产品TLP3906,因为其开路电压较低。TLP3910的最小开路电压是14V,是TLP3906的两倍。
只需一个就能驱动高压功率MOSFET的栅极。这有助于减少部件数量。
通过改进内置的放电电路,可实现0.1ms的典型关断时间,约为TLP3906的1/3左右,约为TLP191B的1/30,从而实现更快的工作速度。
采用AC400V电源系统驱动的工业设备中使用。最高工作温度达到125℃,进一步扩大了应用范围。
(素材来源:ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)
两款红外LED(IRED):SFH4171S和SFH4181S。
SFH4171S和SFH4181S支持在笔记本电脑上采用生物识别技术;
通过该两款紧凑型IRED,艾迈斯半导体与欧司朗扩展了面部识别产品组合;
尺寸小巧支持笔记本电脑显示器采用超窄边框设计。
该两款产品具有尺寸超小的明显优势,可实现笔记本电脑的超窄边框设计,这也是当前笔记本电脑的流行趋势。
制造商: Texas Instruments
产品种类: 仪表放大器
RoHS: 详细信息
系列: INA111
通道数量: 1 Channel
3dB带宽: 450 kHz
CMRR - 共模抑制比: 106 dB
Ib - 输入偏流: 20 pA
Vos - 输入偏置电压 : 500 uV
电源电压-最大: 36 V
电源电压-最小: 12 V
工作电源电流: 3.3 mA
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 85 C
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: PDIP-8
封装: Tube
放大器类型: Instrumentation Amplifier
高度: 4.57 mm
长度: 9.81 mm
产品: Instrumentation Amplifiers
宽度: 6.35 mm
商标: Texas Instruments
双重电源电压: +/- 15 V
en - 输入电压噪声密度: 10 nV/sqrt Hz
增益误差: 0.005 %
增益V/V: 1 V/V to 1000 V/V
GBP-增益带宽产品: 2 MHz
INL - 积分非线性: 0.005 %
最大输入电阻: 10 TOhms
工作电源电压: 12 V to 36 V
产品类型: Instrumentation Amplifiers
工厂包装数量: 50
子类别: Amplifier ICs
单位重量: 528.600 mg

在驱动栅压不低于10V的高压功率MOSFET时,需要串联两个东芝的现有产品TLP3906,因为其开路电压较低。TLP3910的最小开路电压是14V,是TLP3906的两倍。
只需一个就能驱动高压功率MOSFET的栅极。这有助于减少部件数量。
通过改进内置的放电电路,可实现0.1ms的典型关断时间,约为TLP3906的1/3左右,约为TLP191B的1/30,从而实现更快的工作速度。
采用AC400V电源系统驱动的工业设备中使用。最高工作温度达到125℃,进一步扩大了应用范围。
(素材来源:ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)