1200 V完整的碳化硅 (SiC) MOSFET 2-PACK模块，进一步增强其用于充满挑战的电动车 (EV) 市场的产品系列。

随着电动车销售不断增长，必须推出满足驾驶员需求的基础设施，以提供一个快速充电站网络，使他们能够快速完成行程，而没有“续航里程焦虑症”。

新的1200 V M1完整 SiC MOSFET 2 pack模块，基于平面技术，适合18 V到20 V范围内的驱动电压，易于用负门极电压驱动。

制造商:Analog Devices Inc.产品种类:数模转换器- DACRoHS: 系列:分辨率:16 bit通道数量:1 Channel稳定时间:1 us输出类型:Voltage Unbuffered接口类型:3-Wire, Microwire, SPI电源电压-最小:2.7 V电源电压-最大:5.5 V最小工作温度:0 C最大工作温度:+ 70 C安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:MSOP-10封装:Reel特点:Monotonic Over Temperature, Power-On Reset Clears DAC Output转换器数量:1 Converter产品:DAC - Voltage Output DACs类型:General Purpose商标:Analog Devices参考类型:Internal, Supply关闭:No ShutdownDNL - 微分非线性:0.5 LSB增益误差:2 LSBINL - 积分非线性:0.5 LSB工作电源电流:120 uAPd-功率耗散:0.36 mW产品类型:DACs - Digital to Analog Converters参考电压:2 V to 5 VSNR – 信噪比:92 dB2500子类别:Data Converter ICs

鉴于这些充电桩部署在不同的环境和地点，紧凑性、鲁棒性和增强的可靠性都是设计人员面临的挑战。

新的SiC MOSFET模块是安森美半导体电动车充电生态系统的一部分，被设计为与NCD5700x器件等驱动器方案一起使用。

NCD57252双通道隔离型IGBT/MOSFET门极驱动器提供5 kV的电隔离，可配置为双下桥、双上桥或半桥工作。

NCD57252采用小型SOIC-16宽体封装，接受逻辑电平输入（3.3 V、5 V和15 V）。

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