压铸模功率集成模块嵌入了一个负温系数(NTC)热敏电阻
发布时间:2021/6/22 13:03:05 访问次数:544
密封和强固的封装包括一个集成散热片（距引脚6毫米），并提供高水平的耐腐蚀性。提供碳化硅 (SiC) 配置选项以进一步提高开关频率和能效。
NCD57252双通道隔离型IGBT/MOSFET门极驱动器提供5 kV的电隔离，可配置为双下桥、双上桥或半桥工作。NCD57252采用小型SOIC-16宽体封装，接受逻辑电平输入（3.3 V、5 V和15 V）。
该高电流器件（在米勒平台电压下，源电流4.0 A/灌电流6.0 A）适合高速工作，因为典型传播延迟为60 ns。
制造商: Analog Devices Inc.
产品种类: IMU-惯性测量单元
RoHS: 详细信息
封装 / 箱体: BGA-100
商标: Analog Devices
安装风格: SMD/SMT
湿度敏感性: Yes
产品类型: IMUs - Inertial Measurement Units
工厂包装数量: 1
子类别: Sensors
单位重量: 331.405 g
通过结合LPDDR5内存和UFS 3.1 NAND(UFS: Universal Flash Storage,通用闪存存储；NAND:闪存 )存储，三星uMCP实现了更优性能、更大容量和更高效率，让更多的智能手机用户畅享5G功能。
大规模生产全新智能手机内存解决方案：基于UFS多芯片封装（UFS-based Multichip Package，uMCP）的LPDDR5。比起上一代产品，三星uMCP集成了目前三星产品中最快的LPDDR5 DRAM和最新的UFS 3.1 NAND闪存，为更多的智能手机用户提供旗舰性能。
压铸模功率集成模块嵌入了一个负温系数 (NTC) 热敏电阻，以在工作期间监测器件温度。
(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）
密封和强固的封装包括一个集成散热片（距引脚6毫米），并提供高水平的耐腐蚀性。提供碳化硅 (SiC) 配置选项以进一步提高开关频率和能效。
NCD57252双通道隔离型IGBT/MOSFET门极驱动器提供5 kV的电隔离，可配置为双下桥、双上桥或半桥工作。NCD57252采用小型SOIC-16宽体封装，接受逻辑电平输入（3.3 V、5 V和15 V）。
该高电流器件（在米勒平台电压下，源电流4.0 A/灌电流6.0 A）适合高速工作，因为典型传播延迟为60 ns。
制造商: Analog Devices Inc.
产品种类: IMU-惯性测量单元
RoHS: 详细信息
封装 / 箱体: BGA-100
商标: Analog Devices
安装风格: SMD/SMT
湿度敏感性: Yes
产品类型: IMUs - Inertial Measurement Units
工厂包装数量: 1
子类别: Sensors
单位重量: 331.405 g
通过结合LPDDR5内存和UFS 3.1 NAND(UFS: Universal Flash Storage,通用闪存存储；NAND:闪存 )存储，三星uMCP实现了更优性能、更大容量和更高效率，让更多的智能手机用户畅享5G功能。
大规模生产全新智能手机内存解决方案：基于UFS多芯片封装（UFS-based Multichip Package，uMCP）的LPDDR5。比起上一代产品，三星uMCP集成了目前三星产品中最快的LPDDR5 DRAM和最新的UFS 3.1 NAND闪存，为更多的智能手机用户提供旗舰性能。
压铸模功率集成模块嵌入了一个负温系数 (NTC) 热敏电阻，以在工作期间监测器件温度。
(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）
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