激发出SiC MOSFET的性能，节能效果显著,新产品中搭载的SiC MOSFET驱动用栅极驱动电路，通过更大限度地激发出SiC MOSFET的实力，与采用Si-MOSFET的普通配置相比，功率转换效率提升高达5%。

Velabit的设计目标是为“先进驾驶辅助系统”(ADAS)和自动驾驶汽车提供绝佳的汽车级激光雷达解决方案。Velabit可以填补传感领域的空白，帮助汽车制造商实现对车辆周围的全覆盖。

这款传感器可以为ADAS功能提供强大的感知覆盖范围，包括盲点监测、交叉交通检测和行人自动紧急制动(PAEB)。此外，宽阔的垂直视场也使其成为近场传感和机器人应用的理想技术。

制造商:Diodes Incorporated产品种类:稳压二极管RoHS: Vz - 齐纳电压:10 V安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOD-523-2Pd-功率耗散:150 mW电压容差:5 %齐纳电流:0.1 uA最小工作温度:- 65 C最大工作温度:+ 150 C配置:Single测试电流:0.05 mA封装:Cut Tape封装:MouseReel封装:Reel系列:高度:0.65 mm长度:1.7 mm宽度:0.9 mm商标:Diodes IncorporatedIr - 反向电流 :0.1 uA产品类型:Zener Diodes3000子类别:Diodes & RectifiersVf - 正向电压:900 mV单位重量:2 mg

TOLG的主要优势在採用铝绝缘金属基板（Al-IMS）的设计时特别明显。在这些设计中，热扩张係数（CTE）说明材料在温度变化时的形状变化趋势，比铜IMS和FR4电路板更高。

随著时间流逝，电路板上的温度循环（TCoB）会造成封装和PCB之间的焊接点出现裂缝。

通过鸥翼型导线的灵活性，TOLG展现出色的焊接点耐用性，在反覆发生温度循环的应用中大幅增加了产品的可靠性。与IPC-9701标准要求相比，全新封装能够展现两倍的TCoB性能。

在导线上下翻转的框架中，热量会从裸露的金属顶端穿过绝缘材料，直接传到散热片。

(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）