导通电阻为50毫欧低延迟低功耗传输瞬态峰值额定1千伏
发布时间:2021/6/17 7:45:10 访问次数:830
900 V GaN场效应晶体管(FET)TP90H050WS的典型导通电阻为50毫欧，瞬态峰值额定值为1千伏，现已通过电子设备工程联合委员会(JEDEC)认证。
开发和制造高可靠性、高性能氮化镓(GaN)功率半导体的先驱Transphorm Inc. (OTCQB: TGAN) 宣布，该公司的第二款900V GaN场效应晶体管(FET)。
TP90H050WS的典型导通电阻为50毫欧，瞬态峰值额定值为1千伏，现已通过电子设备工程联合委员会(JEDEC)认证。
制造商:TE Connectivity产品种类:汽车连接器RoHS: 产品:Terminals型式:Female安装风格:Free Hanging端接类型:Crimp触点电镀:Silver线规量程:20 AWG to 19 AWG系列:封装:Reel触点类型:Socket (Female)电流额定值:11.75 A材料:Copper安装角:Straight类型:Contact商标:TE Connectivity / AMP触点材料:Copper Alloy触点类型:Socket (Female)最大工作温度:+ 150 C最小工作温度:- 40 C产品类型:Automotive Connectors9000子类别:Automotive Connectors商标名:单位重量:178 mg
单芯片物理层接口器件，在实现工厂车间CoaXPress（CXP）全部潜力方面又迈出新步伐。
新产品特色包括简化机器视觉系统设计、最大限度地提高传输速度以及简化大批量装瓶操作、食品检测、工业检测和成像应用的部署。
我们与日本工业成像协会（JIIA）等标准组织以及我们的主要客户合作，结合CXP优化我们的产品，使其在工厂车间充分发挥新规范的优势。
我们的低延迟、低功耗传输解决方案将均衡器、电缆驱动器和时钟数据恢复集成到单一芯片中，使摄像机和采集卡制造商能够通过单一同轴电缆提供高速、高分辨率视频和控制信号以及电源供应。
(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）
900 V GaN场效应晶体管(FET)TP90H050WS的典型导通电阻为50毫欧，瞬态峰值额定值为1千伏，现已通过电子设备工程联合委员会(JEDEC)认证。
开发和制造高可靠性、高性能氮化镓(GaN)功率半导体的先驱Transphorm Inc. (OTCQB: TGAN) 宣布，该公司的第二款900V GaN场效应晶体管(FET)。
TP90H050WS的典型导通电阻为50毫欧，瞬态峰值额定值为1千伏，现已通过电子设备工程联合委员会(JEDEC)认证。
制造商:TE Connectivity产品种类:汽车连接器RoHS: 产品:Terminals型式:Female安装风格:Free Hanging端接类型:Crimp触点电镀:Silver线规量程:20 AWG to 19 AWG系列:封装:Reel触点类型:Socket (Female)电流额定值:11.75 A材料:Copper安装角:Straight类型:Contact商标:TE Connectivity / AMP触点材料:Copper Alloy触点类型:Socket (Female)最大工作温度:+ 150 C最小工作温度:- 40 C产品类型:Automotive Connectors9000子类别:Automotive Connectors商标名:单位重量:178 mg
单芯片物理层接口器件，在实现工厂车间CoaXPress（CXP）全部潜力方面又迈出新步伐。
新产品特色包括简化机器视觉系统设计、最大限度地提高传输速度以及简化大批量装瓶操作、食品检测、工业检测和成像应用的部署。
我们与日本工业成像协会（JIIA）等标准组织以及我们的主要客户合作，结合CXP优化我们的产品，使其在工厂车间充分发挥新规范的优势。
我们的低延迟、低功耗传输解决方案将均衡器、电缆驱动器和时钟数据恢复集成到单一芯片中，使摄像机和采集卡制造商能够通过单一同轴电缆提供高速、高分辨率视频和控制信号以及电源供应。
(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）
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