DDR4 DRAM在同一总线/通道上运行的低导通电阻N
发布时间:2021/6/16 19:09:23 访问次数:628
TSON-Advance（WF）封装的低导通电阻N沟道MOSFET，它们分别是40 V “XPN3R804NC”和“XPN7R104NC”，60 V “XPN6R706NC”和“XPN12006NC”。
新产品采用带有可焊锡侧翼端子结构的TSON Advance（WF）封装，便于对电路板安装条件进行自动目视检查。
东芝“U-MOSVIII-H”工艺的低导通电阻产品有助于设备节能。
制造商:Cypress Semiconductor 产品种类:静态随机存取存储器 存储容量:512 kbit 组织:64 k x 8 访问时间:15 ns 接口类型:Parallel 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:3 V 电源电流—最大值:185 mA 最小工作温度:0 C 最大工作温度:+ 70 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TQFP-100 数据速率:SDR 存储类型:SDR 类型:Asynchronous 商标:Cypress Semiconductor 端口数量:2 产品类型:SRAM 子类别:Memory & Data Storage 单位重量:657 mg
傲腾持久内存将容量大幅提升到了最高512 GB，同时提高了性能与效率，可支持内存数据库、分析工具和内容交付网络等应用。
英特尔傲腾持久内存条为设计人员和开发人员提供了经济实惠的大容量内存，它们既可以用作易失性内存，也可以用作高性能的持久数据层。
为了方便集成，这些内存条兼容DDR4插槽，并且与DDR4 DRAM在同一总线/通道上运行，在与同一平台上的传统DDR4 DRAM DIMM搭配使用时，更能发挥设计灵活性。
(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）
TSON-Advance（WF）封装的低导通电阻N沟道MOSFET，它们分别是40 V “XPN3R804NC”和“XPN7R104NC”，60 V “XPN6R706NC”和“XPN12006NC”。
新产品采用带有可焊锡侧翼端子结构的TSON Advance（WF）封装，便于对电路板安装条件进行自动目视检查。
东芝“U-MOSVIII-H”工艺的低导通电阻产品有助于设备节能。
制造商:Cypress Semiconductor 产品种类:静态随机存取存储器 存储容量:512 kbit 组织:64 k x 8 访问时间:15 ns 接口类型:Parallel 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:3 V 电源电流—最大值:185 mA 最小工作温度:0 C 最大工作温度:+ 70 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TQFP-100 数据速率:SDR 存储类型:SDR 类型:Asynchronous 商标:Cypress Semiconductor 端口数量:2 产品类型:SRAM 子类别:Memory & Data Storage 单位重量:657 mg
傲腾持久内存将容量大幅提升到了最高512 GB，同时提高了性能与效率，可支持内存数据库、分析工具和内容交付网络等应用。
英特尔傲腾持久内存条为设计人员和开发人员提供了经济实惠的大容量内存，它们既可以用作易失性内存，也可以用作高性能的持久数据层。
为了方便集成，这些内存条兼容DDR4插槽，并且与DDR4 DRAM在同一总线/通道上运行，在与同一平台上的传统DDR4 DRAM DIMM搭配使用时，更能发挥设计灵活性。
(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）
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