400 V、2.5 kW、基于eGaN FET、四电平飞跨电容（FCML）图腾柱无桥整流器，适用于数据中心，它使用了最新的200 V 氮化镓场效应晶体管（EPC2215）。

氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)优越特性使得转换器能够实现高功率密度,超高效率和低谐波失真。

栅极电荷（QG）较基准硅MOSFET器件小十倍，并且与所有eGaN FET一样，没有反向恢复电荷（QRR），从而使得D类音频放大器可以实现更低的失真，以及实现更高效的同步整流器和电机驱动器。

制造商:Cypress Semiconductor 产品种类:静态随机存取存储器 存储容量:64 kbit 组织:4 k x 16 访问时间:15 ns 接口类型:Parallel 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 电源电流—最大值:300 mA 最小工作温度:0 C 最大工作温度:+ 70 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TQFP-100 数据速率:SDR 存储类型:SDR 类型:Asynchronous 商标:Cypress Semiconductor 端口数量:2 产品类型:SRAM 子类别:Memory & Data Storage 单位重量:657 mg

eGaN FET在具备更高效散热的更小型尺寸内，实现更高的性能，而且其成本与传统MOSFET器件相若。氮化镓器件必然可替代逐渐老化的功率MOSFET器件的趋势日益明显。

低导通电阻和高速开关特性的通用MOSFET产品。可用于各种机器应用，如继电器电路和开关电路。内置了栅极保护二极管作为防静电措施。

封装组件均采用了小型SOT-523 (1.6 x 1.6 x h0.9mm)、SOT-723（1.2 x 1.2 x h0.5mm），推动机器小型化。