多模和单模应用的IP68级SC光纤连接器R82的微架构
发布时间:2021/6/15 12:57:15 访问次数:261
新系列IP68级连接器、适配器和耦合器，以解决在极端环境条件地区中高速语音、视频和数据联网应用的问题。
增强版IP68光纤连接器系列新产线包括多模和有各种尺寸压接选配的单模MPO 12和24连接器，以及支持多模和单模应用的IP68级SC光纤连接器。
MAX31825允许在同一条1-Wire总线上挂接多达64片传感器，且支持寄生供电，大大降低了设计和线路连接的复杂度，测温精度为±1oC。
制造商:Texas Instruments 产品种类:运算放大器 - 运放 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-14 每个通道的输出电流:10 mA Vos - 输入偏置电压 :4 mV 最小工作温度:0 C 最大工作温度:+ 70 C Ib - 输入偏流:10 nA 工作电源电流:85 uA CMRR - 共模抑制比:90 dB 系列: 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 放大器类型:Micropower Amplifier 高度:1.45 mm 输入类型:Rail-to-Rail 长度:8.64 mm 产品:Operational Amplifiers 电源类型:Single, Dual 技术:Bipolar 宽度:3.91 mm 商标:Texas Instruments 双重电源电压:+/- 3 V, +/- 5 V, +/- 9 V, +/- 12 V, +/- 15 V In—输入噪声电流密度:0.01 pA/sqrt Hz 最大双重电源电压:+/- 16 V 最小双重电源电压:+/- 1.5 V 工作电源电压:5 V, 9 V, 12 V, 15 V, 18 V, 24 V, 28 V 产品类型:Op Amps - Operational Amplifiers PSRR - 电源抑制比:80 dB 2500 子类别:Amplifier ICs Vcm - 共模电压:3 V to 32 V 电压增益 dB:93.98 dB 单位重量:150.600 mg
新的Cortex-R82增强了核心，使其性能比R8提升了2倍，使用了更宽的物理寻址空间，最高可达1TB，这与系统的其他部分是一致的。Arm目前并没有透露太多关于R82的微架构，以及它与R8的不同之处，但我们猜想随着向Armv8-R架构的转变，会有一些重大的变化。
从架构和微架构方面来看，这里一个重要的新增功能是可选择加入用于SIMD处理的NEON单元，包括新的点产品指令。
这将使处理器本身具有更高性能的并行处理计算能力，使SSD控制器设计者等客户的设计更具灵活性。
(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）
新系列IP68级连接器、适配器和耦合器，以解决在极端环境条件地区中高速语音、视频和数据联网应用的问题。
增强版IP68光纤连接器系列新产线包括多模和有各种尺寸压接选配的单模MPO 12和24连接器，以及支持多模和单模应用的IP68级SC光纤连接器。
MAX31825允许在同一条1-Wire总线上挂接多达64片传感器，且支持寄生供电，大大降低了设计和线路连接的复杂度，测温精度为±1oC。
制造商:Texas Instruments 产品种类:运算放大器 - 运放 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-14 每个通道的输出电流:10 mA Vos - 输入偏置电压 :4 mV 最小工作温度:0 C 最大工作温度:+ 70 C Ib - 输入偏流:10 nA 工作电源电流:85 uA CMRR - 共模抑制比:90 dB 系列: 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 放大器类型:Micropower Amplifier 高度:1.45 mm 输入类型:Rail-to-Rail 长度:8.64 mm 产品:Operational Amplifiers 电源类型:Single, Dual 技术:Bipolar 宽度:3.91 mm 商标:Texas Instruments 双重电源电压:+/- 3 V, +/- 5 V, +/- 9 V, +/- 12 V, +/- 15 V In—输入噪声电流密度:0.01 pA/sqrt Hz 最大双重电源电压:+/- 16 V 最小双重电源电压:+/- 1.5 V 工作电源电压:5 V, 9 V, 12 V, 15 V, 18 V, 24 V, 28 V 产品类型:Op Amps - Operational Amplifiers PSRR - 电源抑制比:80 dB 2500 子类别:Amplifier ICs Vcm - 共模电压:3 V to 32 V 电压增益 dB:93.98 dB 单位重量:150.600 mg
新的Cortex-R82增强了核心，使其性能比R8提升了2倍，使用了更宽的物理寻址空间，最高可达1TB，这与系统的其他部分是一致的。Arm目前并没有透露太多关于R82的微架构，以及它与R8的不同之处，但我们猜想随着向Armv8-R架构的转变，会有一些重大的变化。
从架构和微架构方面来看，这里一个重要的新增功能是可选择加入用于SIMD处理的NEON单元，包括新的点产品指令。
这将使处理器本身具有更高性能的并行处理计算能力，使SSD控制器设计者等客户的设计更具灵活性。
(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）
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