降低功率损耗和高载频应用于USB3.0共享器/切换器等方案
发布时间:2021/6/14 7:44:59 访问次数:374
USB3.0模拟开关芯片CH482、CH483，用于USB3.0（USB3.2 Gen1）信号切换，现批量提供两种QFN封装形式，目前已应用于USB3.0共享器/切换器等方案。
芯片也支持PCIe Gen1/2、SATA/SAS 1.5G/3G/6G、Display Port等2路差分信号的二选一切换。并计划2020Q4推出USB3.2 Gen2 Super Speed+ 10Gpbs 模拟开关芯片CH482X。
其USB产线涵盖了USB PD、USB2.0、USB3.0 MCU及接口芯片，可提供工业控制、信息安全、计算机手机周边等领域的应用案例。
与三菱电机传统的硅绝缘栅双极晶体管（Si-IGBT）模块相比，内置的SiC MOSFET和SiC SBD有助于降低约70%的功率损耗。
降低功率损耗和高载频运行将有助于开发更小、更轻的外部部件，如反应堆和冷却器。
产品能够满足应用对信号进行同时生成与获取的需求。
该系列产品共有六个型号可选，其中包括2、4、8对匹配AWG和数字化仪的通道，输出和采样率能够达到40 MS／s、80 MS／s和125 MS／s。
(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）
USB3.0模拟开关芯片CH482、CH483，用于USB3.0（USB3.2 Gen1）信号切换，现批量提供两种QFN封装形式，目前已应用于USB3.0共享器/切换器等方案。
芯片也支持PCIe Gen1/2、SATA/SAS 1.5G/3G/6G、Display Port等2路差分信号的二选一切换。并计划2020Q4推出USB3.2 Gen2 Super Speed+ 10Gpbs 模拟开关芯片CH482X。
其USB产线涵盖了USB PD、USB2.0、USB3.0 MCU及接口芯片，可提供工业控制、信息安全、计算机手机周边等领域的应用案例。
与三菱电机传统的硅绝缘栅双极晶体管（Si-IGBT）模块相比，内置的SiC MOSFET和SiC SBD有助于降低约70%的功率损耗。
降低功率损耗和高载频运行将有助于开发更小、更轻的外部部件，如反应堆和冷却器。
产品能够满足应用对信号进行同时生成与获取的需求。
该系列产品共有六个型号可选，其中包括2、4、8对匹配AWG和数字化仪的通道，输出和采样率能够达到40 MS／s、80 MS／s和125 MS／s。
(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）
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