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JFET掺杂技术的导通电阻降低约15%的高分辨率3-D点云

发布时间:2021/6/14 7:40:58 访问次数:341

第二代全SiC(碳化硅)功率模块,该模块采用一种全新开发的工业用SiC芯片。

组件中的SiC MOSFET和SiC SBD芯片的低功耗特性和高载操作有望促进在各种工业领域开发更高效、更小、重量更轻的功率设备。

与三菱第一代SiC产品相比,JFET掺杂技术的导通电阻降低了约15%。

减小镜像电容(mirror capacitance 即MOSFET结构中栅极和漏极之间的杂散电容)可以实现快速开关并降低开关损耗。

制造商:Qorvo产品种类:专业电源管理 (PMIC)RoHS: 详细信息系列:ACT8945安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:QFN-40封装:Cut Tape封装:MouseReel封装:Reel商标:Qorvo湿度敏感性:Yes产品类型:Power Management Specialized - PMIC工厂包装数量:3000子类别:PMIC - Power Management ICs单位重量:410.483 mg制造商:Qorvo产品种类:专业电源管理 (PMIC)RoHS: 详细信息系列:ACT8945安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:QFN-40封装:Cut Tape封装:MouseReel封装:Reel商标:Qorvo湿度敏感性:Yes产品类型:Power Management Specialized - PMIC工厂包装数量:3000子类别:PMIC - Power Management ICs单位重量:410.483 mg

扫描环境时,固态技术可提供远距离和高空间分辨率。这可以对环境进行精确建模,并且可以更快,更准确地检测道路变化。

LiDAR是确保流程自动化中最大安全性的完美关键技术。我们的新型ibeoNEXT固态LiDAR具有出色的色彩,可以满足这些要求,并可以在广泛的应用中使用。

该传感器每秒可处理超过一百万个距离值,它可以在不移动部件(真正的固态)的情况下工作,并生成用于物体检测的高分辨率3-D点云以及其他黑白图像。

(素材来源:ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)

第二代全SiC(碳化硅)功率模块,该模块采用一种全新开发的工业用SiC芯片。

组件中的SiC MOSFET和SiC SBD芯片的低功耗特性和高载操作有望促进在各种工业领域开发更高效、更小、重量更轻的功率设备。

与三菱第一代SiC产品相比,JFET掺杂技术的导通电阻降低了约15%。

减小镜像电容(mirror capacitance 即MOSFET结构中栅极和漏极之间的杂散电容)可以实现快速开关并降低开关损耗。

制造商:Qorvo产品种类:专业电源管理 (PMIC)RoHS: 详细信息系列:ACT8945安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:QFN-40封装:Cut Tape封装:MouseReel封装:Reel商标:Qorvo湿度敏感性:Yes产品类型:Power Management Specialized - PMIC工厂包装数量:3000子类别:PMIC - Power Management ICs单位重量:410.483 mg制造商:Qorvo产品种类:专业电源管理 (PMIC)RoHS: 详细信息系列:ACT8945安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:QFN-40封装:Cut Tape封装:MouseReel封装:Reel商标:Qorvo湿度敏感性:Yes产品类型:Power Management Specialized - PMIC工厂包装数量:3000子类别:PMIC - Power Management ICs单位重量:410.483 mg

扫描环境时,固态技术可提供远距离和高空间分辨率。这可以对环境进行精确建模,并且可以更快,更准确地检测道路变化。

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该传感器每秒可处理超过一百万个距离值,它可以在不移动部件(真正的固态)的情况下工作,并生成用于物体检测的高分辨率3-D点云以及其他黑白图像。

(素材来源:ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)

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