sata接口实现离线存储能力硅基IGBT和SiC的存储要求
发布时间:2021/6/13 18:22:26 访问次数:628
功率氮化镓场效应晶体管（GaN FET）。该创新系列GaN FET外形尺寸小，可实现高功率密度及高效率功率转换，能够以较低的成本开发出更高效系统，同时还可助力电动车、5G通信、物联网等应用改进电源性能。
随着越来越多的立法提高碳排放减排要求，实现更高效的功率转换和更高的电气化水平势在必行。
GaN技术突破了硅基IGBT和SiC等现有技术的诸多局限，可为各种功率转换应用带来直接和间接的性能效益。
制造商:Microchip产品种类:以太网 ICRoHS: 详细信息安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:QFN-24产品:Ethernet Transceivers标准:10/100BASE-T收发器数量:1 Transceiver数据速率:10 Mb/s, 100 Mb/s接口类型:RMII工作电源电压:1.2 V最小工作温度:0 C最大工作温度:+ 85 C系列:LAN8720封装:Cut Tape封装:MouseReel封装:Reel商标:Microchip Technology电源电流—最大值:21 mA双工:Full Duplex, Half Duplex湿度敏感性:Yes产品类型:Ethernet ICs工厂包装数量:5000子类别:Communication & Networking ICs电源电压-最大:1.26 V电源电压-最小:1.14 V单位重量:170 mg
作为一款完整的边缘计算设备，ALXE10B的上行链路支持4G/5G、Wi-Fi、Ethernet等方式，并支持LwM2M、MQTT、HTTP等协议与大数据平台对接，实现实时数据、分析结果的上传。
在电动车领域，GaN技术可直接降低功率损耗，从而为汽车实现更长的行驶里程。
(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）
功率氮化镓场效应晶体管（GaN FET）。该创新系列GaN FET外形尺寸小，可实现高功率密度及高效率功率转换，能够以较低的成本开发出更高效系统，同时还可助力电动车、5G通信、物联网等应用改进电源性能。
随着越来越多的立法提高碳排放减排要求，实现更高效的功率转换和更高的电气化水平势在必行。
GaN技术突破了硅基IGBT和SiC等现有技术的诸多局限，可为各种功率转换应用带来直接和间接的性能效益。
制造商:Microchip产品种类:以太网 ICRoHS: 详细信息安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:QFN-24产品:Ethernet Transceivers标准:10/100BASE-T收发器数量:1 Transceiver数据速率:10 Mb/s, 100 Mb/s接口类型:RMII工作电源电压:1.2 V最小工作温度:0 C最大工作温度:+ 85 C系列:LAN8720封装:Cut Tape封装:MouseReel封装:Reel商标:Microchip Technology电源电流—最大值:21 mA双工:Full Duplex, Half Duplex湿度敏感性:Yes产品类型:Ethernet ICs工厂包装数量:5000子类别:Communication & Networking ICs电源电压-最大:1.26 V电源电压-最小:1.14 V单位重量:170 mg
作为一款完整的边缘计算设备，ALXE10B的上行链路支持4G/5G、Wi-Fi、Ethernet等方式，并支持LwM2M、MQTT、HTTP等协议与大数据平台对接，实现实时数据、分析结果的上传。
在电动车领域，GaN技术可直接降低功率损耗，从而为汽车实现更长的行驶里程。
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