双引导功能和通用功能的硬化SPI控制器
发布时间:2021/6/11 20:31:52 访问次数:892
i.MX RT1170还提供各种存储器接口包括SDRAM,RAWNAND FLASH,NOR FLASH, SD/eMMC, Quad/Octal SPI, HyperRAM/Flash以及各种连接外设如WLAN, Bluetooth™,GPS, 显示器和照相机传感器.
音频和视频特性如MIPICSI/DSI, LCD显示器,图像加速器,照相机接口,SPDIF和I2S音频接口.
i.MX RT1170是i.MXRT系列产品的新高端处理器,集成了高性能工作高达1GHz的ArmCortex®-M7核和工作高达400MHz的能效Cortex®-M4核.
超低功耗非易失PLD器件,共有六个器件,查找表(LUT)从256到6864.
制造商:Littelfuse产品种类:ESD 抑制器/TVS 二极管
RoHS: 详细信息产品类型:TVS Diodes极性:Bidirectional工作电压:24 V通道数量:2 Channel端接类型:SMD/SMT封装 / 箱体:SOT-23-3击穿电压:26.7 V钳位电压:50 V峰值脉冲功耗 (Pppm):200 WVesd - 静电放电电压触点:24 kVVesd - 静电放电电压气隙:30 kVCd - 二极管电容 :11 pFIpp - 峰值脉冲电流:3 A最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 125 C系列:SM24CANA资格:AEC-Q101封装:Cut Tape封装:MouseReel封装:Reel商标:LittelfusePd-功率耗散:-工厂包装数量:3000子类别:TVS Diodes / ESD Suppression Diodes商标名:SPAVf - 正向电压:-单位重量:8.800 mg
基于LUT,低成本可编逻辑这些器件具有嵌入区块RAM(EBR),分布式RAM,用户闪存(UFM),锁相环(PLL),支持预工程源同步I/O,支持先进的配置包括双引导功能和通用功能的硬化版本包括SPI控制器,I2C 控制器和计时器/计数器.
这些特性使得这些器件可用在低成本量大的消费类和系统应用.
MachXO2系列产品采用65nm非易失低功耗工艺,器件的架构有几个特性如可编低摆动差分I/O和能够关断I/O 组(bank),片上PLL和动态振荡器.
i.MX RT1170还提供各种存储器接口包括SDRAM,RAWNAND FLASH,NOR FLASH, SD/eMMC, Quad/Octal SPI, HyperRAM/Flash以及各种连接外设如WLAN, Bluetooth™,GPS, 显示器和照相机传感器.
音频和视频特性如MIPICSI/DSI, LCD显示器,图像加速器,照相机接口,SPDIF和I2S音频接口.
i.MX RT1170是i.MXRT系列产品的新高端处理器,集成了高性能工作高达1GHz的ArmCortex®-M7核和工作高达400MHz的能效Cortex®-M4核.
超低功耗非易失PLD器件,共有六个器件,查找表(LUT)从256到6864.
制造商:Littelfuse产品种类:ESD 抑制器/TVS 二极管
RoHS: 详细信息产品类型:TVS Diodes极性:Bidirectional工作电压:24 V通道数量:2 Channel端接类型:SMD/SMT封装 / 箱体:SOT-23-3击穿电压:26.7 V钳位电压:50 V峰值脉冲功耗 (Pppm):200 WVesd - 静电放电电压触点:24 kVVesd - 静电放电电压气隙:30 kVCd - 二极管电容 :11 pFIpp - 峰值脉冲电流:3 A最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 125 C系列:SM24CANA资格:AEC-Q101封装:Cut Tape封装:MouseReel封装:Reel商标:LittelfusePd-功率耗散:-工厂包装数量:3000子类别:TVS Diodes / ESD Suppression Diodes商标名:SPAVf - 正向电压:-单位重量:8.800 mg
基于LUT,低成本可编逻辑这些器件具有嵌入区块RAM(EBR),分布式RAM,用户闪存(UFM),锁相环(PLL),支持预工程源同步I/O,支持先进的配置包括双引导功能和通用功能的硬化版本包括SPI控制器,I2C 控制器和计时器/计数器.
这些特性使得这些器件可用在低成本量大的消费类和系统应用.
MachXO2系列产品采用65nm非易失低功耗工艺,器件的架构有几个特性如可编低摆动差分I/O和能够关断I/O 组(bank),片上PLL和动态振荡器.
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