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低级别的功率传输应用及信号传输和机柜接地

发布时间:2021/6/10 8:25:26 访问次数:813

S1961-46R和S1971-46R的额定电流均为14A,这使它们可用于低级别的功率传输应用以及信号传输和机柜接地等任务。

多向弹性触点产品成功,这些组件已经能够提供一种更加灵活的方法来连接电路板以适应不同的布局。

这两款产品具有超过5,000次接合循环的耐久性,由于是通过接触而不是擦拭操作进行连接,因此与水平镀锡连接器相比,它们具有更长的使用寿命。

尽管市场上已经有许多用于垂直方向的弹性触点,但能够同时支持水平方向操作的组件却很少见。

制造商:Texas Instruments 产品种类:音频放大器 系列: 产品:Audio Amplifiers 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-99 THD + 噪声:0.00003 % 电源电压-最大:34 V 电源电压-最小:5 V 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 85 C 封装:Tray 高度:4.45 mm 长度:9.14 mm 输出电流:26 mA 电源类型:Dual 宽度:9.14 mm 商标:Texas Instruments 通道数量:1 Channel CMRR - 共模抑制比:110 dB to 120 dB 开发套件:LME49710HABD 双重电源电压:+/- 3 V, +/- 5 V, +/- 9 V, +/- 12 V, +/- 15 V GBP-增益带宽产品:55 MHz Ib - 输入偏流:72 nA 最大双重电源电压:+/- 17 V 最小双重电源电压:+/- 2.5 V 工作电源电流:4.8 mA 工作电源电压:2.5 V to 17 V 产品类型:Audio Amplifiers PSRR - 电源抑制比:110 dB SR - 转换速率 :20 V/us 20 子类别:Audio ICs Vos - 输入偏置电压 :0.7 mV 单位重量:217 mg

12位ADC核取样速率每路为20ksps.ADC数据可通过SPI接口直接得到或进行滤波.

对于SSOP封装可经受住3.5kVRMS隔离60秒(VISO),对于宽SOIC封装可经受住5kVRMS隔离60秒(VISO).由于高集成度,可降低BOM和PCB板空间,集成的DC/DC电源可进行场侧电路自供电.


TPS536C7B1是两路内置了非易失存储器(NVM)和PMBus接口的降压控制器,完全和TINexFET™智能功率级兼容.其先进的控制特性如D-CAP+架构提供快速瞬态响应,低输出电容和良辰美景的电流共享.

器件还提供新型相位交错策略和灵活多样点火顺序.



(素材来源:ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)

S1961-46R和S1971-46R的额定电流均为14A,这使它们可用于低级别的功率传输应用以及信号传输和机柜接地等任务。

多向弹性触点产品成功,这些组件已经能够提供一种更加灵活的方法来连接电路板以适应不同的布局。

这两款产品具有超过5,000次接合循环的耐久性,由于是通过接触而不是擦拭操作进行连接,因此与水平镀锡连接器相比,它们具有更长的使用寿命。

尽管市场上已经有许多用于垂直方向的弹性触点,但能够同时支持水平方向操作的组件却很少见。

制造商:Texas Instruments 产品种类:音频放大器 系列: 产品:Audio Amplifiers 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-99 THD + 噪声:0.00003 % 电源电压-最大:34 V 电源电压-最小:5 V 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 85 C 封装:Tray 高度:4.45 mm 长度:9.14 mm 输出电流:26 mA 电源类型:Dual 宽度:9.14 mm 商标:Texas Instruments 通道数量:1 Channel CMRR - 共模抑制比:110 dB to 120 dB 开发套件:LME49710HABD 双重电源电压:+/- 3 V, +/- 5 V, +/- 9 V, +/- 12 V, +/- 15 V GBP-增益带宽产品:55 MHz Ib - 输入偏流:72 nA 最大双重电源电压:+/- 17 V 最小双重电源电压:+/- 2.5 V 工作电源电流:4.8 mA 工作电源电压:2.5 V to 17 V 产品类型:Audio Amplifiers PSRR - 电源抑制比:110 dB SR - 转换速率 :20 V/us 20 子类别:Audio ICs Vos - 输入偏置电压 :0.7 mV 单位重量:217 mg

12位ADC核取样速率每路为20ksps.ADC数据可通过SPI接口直接得到或进行滤波.

对于SSOP封装可经受住3.5kVRMS隔离60秒(VISO),对于宽SOIC封装可经受住5kVRMS隔离60秒(VISO).由于高集成度,可降低BOM和PCB板空间,集成的DC/DC电源可进行场侧电路自供电.


TPS536C7B1是两路内置了非易失存储器(NVM)和PMBus接口的降压控制器,完全和TINexFET™智能功率级兼容.其先进的控制特性如D-CAP+架构提供快速瞬态响应,低输出电容和良辰美景的电流共享.

器件还提供新型相位交错策略和灵活多样点火顺序.



(素材来源:ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)

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