双路2.3-2.8GHz 20W接收器前端支持水平和垂直方向连接
发布时间:2021/6/10 8:19:13 访问次数:911
ADRF5519是双路2.3-2.8GHz 20W接收器前端,集成了RF前端多片模块,设计用于工作频率2.3GHz-2.8GHz的时分复接(TDD)应用.
ADRF5519可配置成两路,有级联两级低噪音放大器(LNA)和功率硅单刀双掷(SPDT)开关.
高增益模式,级联两级LNA和开关提供2.6GHz时的低噪音(NF)0.1dB和高增益35dB,输出三阶截断点(OIP3)32dB(典型值).
低增益模式,两级LNA的一个级旁路,提供较低电流36mA时的14dB增益.
制造商:Texas Instruments 产品种类:音频放大器 系列: 产品:Audio Amplifiers 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:PDIP-8 THD + 噪声:0.00003 % 电源电压-最大:34 V 电源电压-最小:5 V 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 85 C 封装:Tube 高度:3.3 mm 长度:9.27 mm 输出电流:26 mA 电源类型:Dual 宽度:6.35 mm 商标:Texas Instruments 通道数量:1 Channel CMRR - 共模抑制比:110 dB to 120 dB 开发套件:LME49710HABD 双重电源电压:+/- 3 V, +/- 5 V, +/- 9 V, +/- 12 V, +/- 15 V GBP-增益带宽产品:55 MHz Ib - 输入偏流:72 nA 最大双重电源电压:+/- 17 V 最小双重电源电压:+/- 2.5 V 工作电源电流:4.8 mA 工作电源电压:2.5 V to 17 V 产品类型:Audio Amplifiers PSRR - 电源抑制比:110 dB SR - 转换速率 :20 V/us 40 子类别:Audio ICs Vos - 输入偏置电压 :0.7 mV 单位重量:588 mg
在降功耗模式,LNA关断,器件的功耗为12mA.发送时,RF输入连接到端引脚((ANT-CHA或ANT-CHB,分别连接到TERM-CHA或TERM-CHB).
表面贴装组件能够支持水平和垂直方向连接，但是相比以前产品尺寸更小。S1961-46R高度为3.55mm，而S1971-46R高度则为4.55mm。
高密度电子产品设计的需求意味着工程师在连接电路板时需要更高的灵活性，这就是为什么对多向操作的支持具有如此大吸引力的原因。
(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）
ADRF5519是双路2.3-2.8GHz 20W接收器前端,集成了RF前端多片模块,设计用于工作频率2.3GHz-2.8GHz的时分复接(TDD)应用.
ADRF5519可配置成两路,有级联两级低噪音放大器(LNA)和功率硅单刀双掷(SPDT)开关.
高增益模式,级联两级LNA和开关提供2.6GHz时的低噪音(NF)0.1dB和高增益35dB,输出三阶截断点(OIP3)32dB(典型值).
低增益模式,两级LNA的一个级旁路,提供较低电流36mA时的14dB增益.
制造商:Texas Instruments 产品种类:音频放大器 系列: 产品:Audio Amplifiers 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:PDIP-8 THD + 噪声:0.00003 % 电源电压-最大:34 V 电源电压-最小:5 V 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 85 C 封装:Tube 高度:3.3 mm 长度:9.27 mm 输出电流:26 mA 电源类型:Dual 宽度:6.35 mm 商标:Texas Instruments 通道数量:1 Channel CMRR - 共模抑制比:110 dB to 120 dB 开发套件:LME49710HABD 双重电源电压:+/- 3 V, +/- 5 V, +/- 9 V, +/- 12 V, +/- 15 V GBP-增益带宽产品:55 MHz Ib - 输入偏流:72 nA 最大双重电源电压:+/- 17 V 最小双重电源电压:+/- 2.5 V 工作电源电流:4.8 mA 工作电源电压:2.5 V to 17 V 产品类型:Audio Amplifiers PSRR - 电源抑制比:110 dB SR - 转换速率 :20 V/us 40 子类别:Audio ICs Vos - 输入偏置电压 :0.7 mV 单位重量:588 mg
在降功耗模式,LNA关断,器件的功耗为12mA.发送时,RF输入连接到端引脚((ANT-CHA或ANT-CHB,分别连接到TERM-CHA或TERM-CHB).
表面贴装组件能够支持水平和垂直方向连接，但是相比以前产品尺寸更小。S1961-46R高度为3.55mm，而S1971-46R高度则为4.55mm。
高密度电子产品设计的需求意味着工程师在连接电路板时需要更高的灵活性，这就是为什么对多向操作的支持具有如此大吸引力的原因。
(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）
相关技术资料- 5-5新一代至强处理器Clearwater
- 5-5Ti2AlSnC MAX米纤维膜光热层光热蒸发器
- 5-5Foveros Direct和 EMIB（2.5D桥接）技术详解
- 5-518A-PT工艺先进3D封装技术应用研究
- 5-5新一代超薄中长距激光雷达EMX
- 5-5激光雷达+双英伟达Thor芯片（算力1400TOPS）探究
- 4-30高通舱驾融合控制器SA8775P SoC
- 4-30Oryon CPU、Adreno GPU核心模块技术
- 4-30骁龙Snapdragon Ride平台应用探究
- 4-30LED驱动器、隔离驱动器市场应用前景
- 4-30MemryX MX3 AI 芯片应用简介
- 4-30信号链和电源管理芯片市场应用详解
公网安备44030402000607
