eGaN FET可以在250 kHz的开关频率下实现97%的效率，可实现每相800 W，而硅基解决方案只能实现每相600 W，因为后者在100 kHz的最大开关频率下，电感电流受限。

演示板的设计是可扩展的–并联两个转换器可实现3 kW，或者并联3个转换器可实现4.5 kW。

通过使用氮化镓场效应晶体管，有可能将3.5 kW转换器的相数从五相减到四相，并同时提高效率。

工作在250 kHz频率下的四相氮化镓基转换器的效率，比工作在100 kHz的五相硅MOSFET转换器高出1.5%。

制造商:Panasonic 产品种类:铝质电解电容器-SMD RoHS: 详细信息 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 系列:FP-V High 产品:High Temp Electrolytic Capacitors 电容:100 uF 电压额定值 DC:35 VDC 容差:20 % ESR:80 mOhms 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 105 C 直径:8 mm 长度:10.5 mm 高度:10.2 mm 寿命:2000 Hour 纹波电流:850 mA 资格:AEC-Q200 端接类型:SMD/SMT 商标:Panasonic 漏泄电流:35 uA 产品类型:Electrolytic Capacitors 工厂包装数量:500 子类别:Capacitors 单位重量:1.600 g

TPDS v2用户能够通过ATECC608B TrustFlex配置，使用EBV-IoT“安全盾牌”评估工具包快速、安全地连接到安富利IoTConnect云。

在芯片和云端都能获得可扩展的安全性。采用最佳实践是实现我们为所有客户提供最佳安全平台共同目标的重要一步。

与硅MOSFET解决方案相比，基于氮化镓器件的DC/DC转换器的速度快三倍，体积和重量都小35%以上，效率高1.5%以上。而且整体系统成本更低。