100nF单层电容具备X7R的温度稳定性的电压过冲
发布时间:2021/6/8 7:38:42 访问次数:542
低寄生系数可防止在电源关断时出现明显的电压过冲。
新系列电容器配备阻燃等级为UL 94 V0的柱形塑料外壳,支持M8螺栓和M5螺纹孔两种连接方式,典型应用包括光伏系统中的快速切换转换器和逆变器,铁路技术中的牵引,以及感应加热系统。
产品凭借紧凑的尺寸,X7R的温度稳定性以及金丝键合装配成为高性能电路不可或缺的一部分。
SCALE-2门极驱动器使设计者能够优化动态开关性能、提高整机精度并增强功能,其集成的高级有源钳位电路可为IGBT提供保护。

制造商:Texas Instruments 产品种类:音频放大器 系列: 产品:Audio Amplifiers 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-14 THD + 噪声:0.00003 % 电源电压-最大:34 V 电源电压-最小:5 V 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 85 C 封装:Tube 高度:1.45 mm 长度:8.64 mm 输出电流:26 mA 电源类型:Dual 宽度:3.91 mm 商标:Texas Instruments 通道数量:4 Channel CMRR - 共模抑制比:110 dB 双重电源电压:+/- 3 V, +/- 5 V, +/- 9 V, +/- 12 V, +/- 15 V GBP-增益带宽产品:55 MHz Ib - 输入偏流:72 nA 最大双重电源电压:+/- 17 V 最小双重电源电压:+/- 2.5 V 工作电源电流:18.5 mA 工作电源电压:2.5 V to 17 V 产品类型:Audio Amplifiers PSRR - 电源抑制比:110 dB SR - 转换速率 :20 V/us 55 子类别:Audio ICs Vos - 输入偏置电压 :0.7 mV at +/- 15 V 单位重量:241 mg
V 系列单层电容(包括新推出的100nF单层电容)的设计旨在以更小的尺寸提供更高的容值。
100nF单层电容采用具有 X7R温度特性的 II 类电介质材料,可在宽频范围内作隔直和射频旁路应用。其他用途包括滤波、调谐和耦合应用。
100nF单层电容具备X7R的温度稳定性,符合RoHS规范,并提供最高等级的抗湿度能力(MSL-1)。它具有很高的电容密度,适用于导电环氧树脂或金锡焊接装配。
在射频旁路应用中,100nF电容器有助于消除电源线噪声。
(素材来源:ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)
低寄生系数可防止在电源关断时出现明显的电压过冲。
新系列电容器配备阻燃等级为UL 94 V0的柱形塑料外壳,支持M8螺栓和M5螺纹孔两种连接方式,典型应用包括光伏系统中的快速切换转换器和逆变器,铁路技术中的牵引,以及感应加热系统。
产品凭借紧凑的尺寸,X7R的温度稳定性以及金丝键合装配成为高性能电路不可或缺的一部分。
SCALE-2门极驱动器使设计者能够优化动态开关性能、提高整机精度并增强功能,其集成的高级有源钳位电路可为IGBT提供保护。

制造商:Texas Instruments 产品种类:音频放大器 系列: 产品:Audio Amplifiers 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-14 THD + 噪声:0.00003 % 电源电压-最大:34 V 电源电压-最小:5 V 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 85 C 封装:Tube 高度:1.45 mm 长度:8.64 mm 输出电流:26 mA 电源类型:Dual 宽度:3.91 mm 商标:Texas Instruments 通道数量:4 Channel CMRR - 共模抑制比:110 dB 双重电源电压:+/- 3 V, +/- 5 V, +/- 9 V, +/- 12 V, +/- 15 V GBP-增益带宽产品:55 MHz Ib - 输入偏流:72 nA 最大双重电源电压:+/- 17 V 最小双重电源电压:+/- 2.5 V 工作电源电流:18.5 mA 工作电源电压:2.5 V to 17 V 产品类型:Audio Amplifiers PSRR - 电源抑制比:110 dB SR - 转换速率 :20 V/us 55 子类别:Audio ICs Vos - 输入偏置电压 :0.7 mV at +/- 15 V 单位重量:241 mg
V 系列单层电容(包括新推出的100nF单层电容)的设计旨在以更小的尺寸提供更高的容值。
100nF单层电容采用具有 X7R温度特性的 II 类电介质材料,可在宽频范围内作隔直和射频旁路应用。其他用途包括滤波、调谐和耦合应用。
100nF单层电容具备X7R的温度稳定性,符合RoHS规范,并提供最高等级的抗湿度能力(MSL-1)。它具有很高的电容密度,适用于导电环氧树脂或金锡焊接装配。
在射频旁路应用中,100nF电容器有助于消除电源线噪声。
(素材来源:ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)