Vishay SferniceP2TC扩大阻值和温度范围TCR可达±2 ppm/C
发布时间:2021/6/6 23:59:42 访问次数:635
多路模式的最大无线电带宽间隔是1.2GHz.器件具有FDD和TDD单和多波段无线电,Tx/Rx通路带宽高达1.6 GHz/2 GHz (4T4R).
4D4A (4 × 3 GSPS 到12 GSPS DAC和4 × 1.5 GSPS到4 GSPS ADC).支持发送器IQ输入数据速率高达1.5Gbps,支持接收器IQ输出数据速率高达2Gbps.
RF DAC/RF ADC输出/输入−3 dB带宽 5.2 GHz 和7.5 GHz.器件的典型功耗为6W到7W,采用15 mm × 15 mm BGA封装.
制造商:Panasonic 产品种类:铝质电解电容器-SMD RoHS: 详细信息 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 系列:S-V 产品:Aluminum Electrolytic Capacitors 电容:33 uF 电压额定值 DC:25 VDC 容差:20 % 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 85 C 直径:5 mm 长度:5.4 mm 高度:5.4 mm 寿命:1000 Hour 纹波电流:42 mA 资格:AEC-Q200 端接类型:SMD/SMT 商标:Panasonic 漏泄电流:3 uA 损耗因数 DF:0.2 产品类型:Electrolytic Capacitors 工厂包装数量:1000 子类别:Capacitors 单位重量:200 mg
新款高精度薄膜片式电阻，适用于工业、医疗、国防和航空航天应用。与竞品器件相比，Vishay SferniceP2TC扩大了阻值和温度范围，TCR可达± 2 ppm/C，具有多种外形尺寸并提高了额定功率。
封装内部电路额定电压最高650V，高低压焊盘之间的爬电距离超过2mm。MasterGaN模块适用于各种额定功率，工程师略做硬件修改，即可扩展升级系统设计。
主要用在无线通信基础设备, W-CDMA, LTE, LTE-A和大规模天线技术,微波点对点和E波段5G mmWave,宽带通信系统, DOCSIS 3.0 CMTS,相阵列雷达和电子对抗以及电子测试和测量系统.
(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）
多路模式的最大无线电带宽间隔是1.2GHz.器件具有FDD和TDD单和多波段无线电,Tx/Rx通路带宽高达1.6 GHz/2 GHz (4T4R).
4D4A (4 × 3 GSPS 到12 GSPS DAC和4 × 1.5 GSPS到4 GSPS ADC).支持发送器IQ输入数据速率高达1.5Gbps,支持接收器IQ输出数据速率高达2Gbps.
RF DAC/RF ADC输出/输入−3 dB带宽 5.2 GHz 和7.5 GHz.器件的典型功耗为6W到7W,采用15 mm × 15 mm BGA封装.
制造商:Panasonic 产品种类:铝质电解电容器-SMD RoHS: 详细信息 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 系列:S-V 产品:Aluminum Electrolytic Capacitors 电容:33 uF 电压额定值 DC:25 VDC 容差:20 % 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 85 C 直径:5 mm 长度:5.4 mm 高度:5.4 mm 寿命:1000 Hour 纹波电流:42 mA 资格:AEC-Q200 端接类型:SMD/SMT 商标:Panasonic 漏泄电流:3 uA 损耗因数 DF:0.2 产品类型:Electrolytic Capacitors 工厂包装数量:1000 子类别:Capacitors 单位重量:200 mg
新款高精度薄膜片式电阻，适用于工业、医疗、国防和航空航天应用。与竞品器件相比，Vishay SferniceP2TC扩大了阻值和温度范围，TCR可达± 2 ppm/C，具有多种外形尺寸并提高了额定功率。
封装内部电路额定电压最高650V，高低压焊盘之间的爬电距离超过2mm。MasterGaN模块适用于各种额定功率，工程师略做硬件修改，即可扩展升级系统设计。
主要用在无线通信基础设备, W-CDMA, LTE, LTE-A和大规模天线技术,微波点对点和E波段5G mmWave,宽带通信系统, DOCSIS 3.0 CMTS,相阵列雷达和电子对抗以及电子测试和测量系统.
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公网安备44030402000607
