双极电源来有效地驱动IGBT和SiC功率FET工业的应用
发布时间:2021/6/6 15:16:18 访问次数:228
UCC23511-Q1是光兼容单路隔离用于IGBT,MOSFET和SiC MOSFET的栅极驱动器,源电流1.5A,沉电流2A,增强隔离指标为5.7-kVRMS.
33V高工作电压允许采用双极电源来有效地驱动IGBT和SiC功率FET.
UCC23511-Q1能驱动高边和低边功率FET.引脚对引脚替代光隔离栅极驱动器,12V VCC UVLO, 轨到轨输出,最大传输时延为105ns,部件间延时失配最大为25ns,脉宽失真最大为35ns,共模瞬态免疫度(CMTI)大于150-kV/μs,隔离阻挡层寿命大于50年.
制造商: Analog Devices Inc.
产品种类: 加速计
RoHS: 详细信息
传感器类型: 2-axis
传感轴: X, Y
加速: 1.2 g
输出类型: Digital
接口类型: -
分辨率: -
电源电压-最大: 6 V
电源电压-最小: 3 V
工作电源电流: 700 nA
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 85 C
安装风格: SMD/SMT
封装: Tube
高度: 5 mm
长度: 5 mm
系列: ADXL213
类型: Dual Axis Accelerometer
宽度: 2 mm
商标: Analog Devices
工作电源电压: 5 V
产品类型: Accelerometers
工厂包装数量: 95
子类别: Sensors
单位重量: 334 mg
100W马达驱动评估板,主要包括600V CoolMOS PFD7 SJ功率器件IPN60R2K0PFD7S和600V 高压高速功率MOSFET和IGBT驱动器.
基于ARM® Cortex®-M0的XMC1302-T038X0200 32位MCU,准谐振CoolSET™反激控制器ICE5QR4770AG,低压降电压稳压器IFX1763XEJV50以及P沟MOSFET BSS314PE和N沟MOSFET BSS138N.
这些应用有多种市场包括汽车电子,专业音频,以及需要高浮点性能的基于工业的应用.
(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）
UCC23511-Q1是光兼容单路隔离用于IGBT,MOSFET和SiC MOSFET的栅极驱动器,源电流1.5A,沉电流2A,增强隔离指标为5.7-kVRMS.
33V高工作电压允许采用双极电源来有效地驱动IGBT和SiC功率FET.
UCC23511-Q1能驱动高边和低边功率FET.引脚对引脚替代光隔离栅极驱动器,12V VCC UVLO, 轨到轨输出,最大传输时延为105ns,部件间延时失配最大为25ns,脉宽失真最大为35ns,共模瞬态免疫度(CMTI)大于150-kV/μs,隔离阻挡层寿命大于50年.
制造商: Analog Devices Inc.
产品种类: 加速计
RoHS: 详细信息
传感器类型: 2-axis
传感轴: X, Y
加速: 1.2 g
输出类型: Digital
接口类型: -
分辨率: -
电源电压-最大: 6 V
电源电压-最小: 3 V
工作电源电流: 700 nA
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 85 C
安装风格: SMD/SMT
封装: Tube
高度: 5 mm
长度: 5 mm
系列: ADXL213
类型: Dual Axis Accelerometer
宽度: 2 mm
商标: Analog Devices
工作电源电压: 5 V
产品类型: Accelerometers
工厂包装数量: 95
子类别: Sensors
单位重量: 334 mg
100W马达驱动评估板,主要包括600V CoolMOS PFD7 SJ功率器件IPN60R2K0PFD7S和600V 高压高速功率MOSFET和IGBT驱动器.
基于ARM® Cortex®-M0的XMC1302-T038X0200 32位MCU,准谐振CoolSET™反激控制器ICE5QR4770AG,低压降电压稳压器IFX1763XEJV50以及P沟MOSFET BSS314PE和N沟MOSFET BSS138N.
这些应用有多种市场包括汽车电子,专业音频,以及需要高浮点性能的基于工业的应用.
(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）
相关技术资料- 5-8集成SOC 驱动芯片 GD30DRE508 系列
- 5-8ARM Cortex-M7 600MHz 内核GD3
- 5-8存储、MCU 及模拟芯片应用前景分析
- 5-8高倍率磷酸铁锂电池技术发展趋势
- 5-8模块化多电平架构（MMC）应用参数配置
- 5-8构网型变流器核心技术及应用探究
- 5-7储能逆变、变频器、伺服电机及光通信应用场景
- 5-7第二代0.7微米5000万像素CIS GC50E1
- 5-7PACK、储能系统集成、逆变器及储能解读
- 5-7单帧高动态 DAG HDR 技术单芯片高像素CIS架
- 5-7第四代超薄叠片工艺与创新三维集流技术探究
- 5-7行业技术标杆Mr.Big系列600Ah+储能电芯
公网安备44030402000607
