多功能新型30 V n沟道TrenchFET®第五代功率MOSFET---SiSS52DN，提升隔离和非隔离拓扑结构功率密度和能效。

通过调整振荡频率以抑制特定频率（如2.2MHz或以上）产生的噪音波峰的技术。

Vishay Siliconix SiSS52DN采用热增强型3.3 mm x 3.3 mmPowerPAK® 1212-8S封装，10 V条件下导通电阻仅为0.95 mW，比上一代产品低5 %。

SiSS52DN的FOM比上一代器件低29%，从而降低导通和开关损耗，节省功率转换应用的能源。

制造商: Texas Instruments

产品种类: 隔离放大器

RoHS:  详细信息

系列: AMC1200-Q1

通道数量: 1 Channel

绝缘电压: 4000 Vrms

隔离类型: Galvanic

GBP-增益带宽产品: -

3dB带宽: 100 kHz

CMRR - 共模抑制比: 108 dB

Vos - 输入偏置电压 : 200 uV

电源电压-最大: 5.5 V

电源电压-最小: 2.7 V, 4.5 V

工作电源电流: 5.4 mA

最小工作温度: - 40 C

最大工作温度: + 105 C

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: SOP-8

资格: AEC-Q100

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

放大器类型: Isolation

特点: Typical 10 year lifespan at rated working voltage

输出类型: Differential

产品: Isolation Amplifiers

类型: Fully Differential Isolation Amplifier

商标: Texas Instruments

输入电压范围—最大: +/- 320 mV

关闭: No Shutdown

增益误差: 0.075 %

增益V/V: 8 V/V

湿度敏感性: Yes

工作电源电压: 2.7 V to 5.5 V

每个通道的输出电流: 20 mA

Pd-功率耗散: 44 mW

产品类型: Isolation Amplifiers

PSRR - 电源抑制比: 61 dB

SR - 转换速率 : -

工厂包装数量: 350

子类别: Amplifier ICs

单位重量: 851 mg

主要特点

传导噪音降低至1/3

业界最小的尺寸等级，采用超小型HSNT-8(2030)（2.0×3.0×t0.5mm）封装

快速瞬态响应

PWM控制，PWM/PFM控制可供选择

低纹波

输入电压36V / 额定电压45V

应用场景

车载摄像头模块

车载用途（发动机、变速器、悬架、ABS、EV/HEV/PHEV及其他设备应用）

(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）