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新型反激式开关IC具有优异的恒压/恒流精度

发布时间:2021/6/6 0:06:59 访问次数:293

新型反激式开关IC具有优异的恒压/恒流精度,不受外围元件的影响,并且在具有输入电压检测安全保护功能的前提下,空载功耗仍然能够小于30mW。

高达140kHz的稳态开关频率可最大程度地减小变压器尺寸,进一步提高功率密度。

这是通过对有源箝位的变频非对称控制,进而实现智能的零电压开关的方式来实现的,同时可以兼容非连续和连续导通两种工作模式,从而极大地提高了设计的灵活性,并在整个工作范围内实现了效率的最大化。

制造商:Texas Instruments 产品种类:音频放大器 系列: 产品:Audio Amplifiers 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:MDIP-14 THD + 噪声:0.00003 % 电源电压-最大:34 V 电源电压-最小:5 V 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 85 C 封装:Tube 高度:3.3 mm 长度:19.05 mm 输出电流:26 mA 电源类型:Dual 宽度:6.35 mm 商标:Texas Instruments 通道数量:4 Channel CMRR - 共模抑制比:110 dB 双重电源电压:+/- 3 V, +/- 5 V, +/- 9 V, +/- 12 V, +/- 15 V GBP-增益带宽产品:55 MHz Ib - 输入偏流:72 nA 最大双重电源电压:+/- 17 V 最小双重电源电压:+/- 2.5 V 工作电源电流:18.5 mA 工作电源电压:2.5 V to 17 V 产品类型:Audio Amplifiers PSRR - 电源抑制比:110 dB SR - 转换速率 :20 V/us 25 子类别:Audio ICs Vos - 输入偏置电压 :0.7 mV at +/- 15 V

器件具有33dB校准图相抑制,LNA输入具有±2.5kV HBM ESD 保护和±4kV.

高达200kbps数据速率(NRZ),工作电压1.8V-3.6V,工作温度-40C 到+105C,4mm x 4mm 12引脚TQFN封装.主要用在案家庭自动化和安全,建筑物接入控制,车库门开启(GDO),无钥匙遥控器(RKE), 胎压监测系统(TPMS)和餐厅传呼机.

同时由于其内置MOSFET,可实现同类产品中高达5A的输出电流,且支持大功率,从而有助于5G通信基站和充电桩等设备实现更高可靠性和性能。

(素材来源:ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)

新型反激式开关IC具有优异的恒压/恒流精度,不受外围元件的影响,并且在具有输入电压检测安全保护功能的前提下,空载功耗仍然能够小于30mW。

高达140kHz的稳态开关频率可最大程度地减小变压器尺寸,进一步提高功率密度。

这是通过对有源箝位的变频非对称控制,进而实现智能的零电压开关的方式来实现的,同时可以兼容非连续和连续导通两种工作模式,从而极大地提高了设计的灵活性,并在整个工作范围内实现了效率的最大化。

制造商:Texas Instruments 产品种类:音频放大器 系列: 产品:Audio Amplifiers 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:MDIP-14 THD + 噪声:0.00003 % 电源电压-最大:34 V 电源电压-最小:5 V 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 85 C 封装:Tube 高度:3.3 mm 长度:19.05 mm 输出电流:26 mA 电源类型:Dual 宽度:6.35 mm 商标:Texas Instruments 通道数量:4 Channel CMRR - 共模抑制比:110 dB 双重电源电压:+/- 3 V, +/- 5 V, +/- 9 V, +/- 12 V, +/- 15 V GBP-增益带宽产品:55 MHz Ib - 输入偏流:72 nA 最大双重电源电压:+/- 17 V 最小双重电源电压:+/- 2.5 V 工作电源电流:18.5 mA 工作电源电压:2.5 V to 17 V 产品类型:Audio Amplifiers PSRR - 电源抑制比:110 dB SR - 转换速率 :20 V/us 25 子类别:Audio ICs Vos - 输入偏置电压 :0.7 mV at +/- 15 V

器件具有33dB校准图相抑制,LNA输入具有±2.5kV HBM ESD 保护和±4kV.

高达200kbps数据速率(NRZ),工作电压1.8V-3.6V,工作温度-40C 到+105C,4mm x 4mm 12引脚TQFN封装.主要用在案家庭自动化和安全,建筑物接入控制,车库门开启(GDO),无钥匙遥控器(RKE), 胎压监测系统(TPMS)和餐厅传呼机.

同时由于其内置MOSFET,可实现同类产品中高达5A的输出电流,且支持大功率,从而有助于5G通信基站和充电桩等设备实现更高可靠性和性能。

(素材来源:ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)

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