MOSFET尺寸8x8x1.7mm具有领先的线性模式/安全工作区域(SOA)特性
发布时间:2023/12/17 20:33:06 访问次数:74
高边电流检测放大器,具有增益20, 50和100V/V.共模输入范围(VIP)是+3V到+65V,差分模式输入范围(VDM=VIP–VIM)支持单向和双向应用.器件的电源在2.0V和5.5V间.
SOT-23封装的器件工作温度-40C到+125C(E-温度),而3×3 VDFN封装的器件工作温度-40C到+150C(H温度).
主要用在满足AEC-Q100 Grade 0和Grade 1规范的汽车电子,马达控制,模拟电平转移,工业计算和电池监视器/测试器.
制造商:Winbond产品种类:NOR闪存RoHS: 安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:USON-8系列:存储容量:16 Mbit电源电压-最小:2.7 V电源电压-最大:3.6 V有源读取电流（最大值）:25 mA接口类型:SPI最大时钟频率:133 MHz组织:2Mx8数据总线宽度:8bit定时类型:Synchronous最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 C封装:Cut Tape封装:Reel商标:Winbond电源电流—最大值:25 mA湿度敏感性:Yes产品类型:NOR Flash4000子类别:Memory & Data Storage
新型8 x 8 mm LFPAK88 MOSFET将最新的高性能超结硅技术与成熟的LFPAK铜夹片技术相结合，后者因提供显著的电气性能和热性能而著称。
这些新型功率MOSFET的尺寸仅为8x8x1.7mm，具有领先的线性模式/安全工作区域(SOA)特性，可在大电流条件下安全可靠地开关工作。
符合AEC-Q101标准的BUK7S0R5-40H器件提供超出车规标准要求两倍的可靠性，适合制动、助力转向、电池防反保护、e-fuse、DC-DC转换器和电机控制应用。
高边电流检测放大器,具有增益20, 50和100V/V.共模输入范围(VIP)是+3V到+65V,差分模式输入范围(VDM=VIP–VIM)支持单向和双向应用.器件的电源在2.0V和5.5V间.
SOT-23封装的器件工作温度-40C到+125C(E-温度),而3×3 VDFN封装的器件工作温度-40C到+150C(H温度).
主要用在满足AEC-Q100 Grade 0和Grade 1规范的汽车电子,马达控制,模拟电平转移,工业计算和电池监视器/测试器.
制造商:Winbond产品种类:NOR闪存RoHS: 安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:USON-8系列:存储容量:16 Mbit电源电压-最小:2.7 V电源电压-最大:3.6 V有源读取电流（最大值）:25 mA接口类型:SPI最大时钟频率:133 MHz组织:2Mx8数据总线宽度:8bit定时类型:Synchronous最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 C封装:Cut Tape封装:Reel商标:Winbond电源电流—最大值:25 mA湿度敏感性:Yes产品类型:NOR Flash4000子类别:Memory & Data Storage
新型8 x 8 mm LFPAK88 MOSFET将最新的高性能超结硅技术与成熟的LFPAK铜夹片技术相结合，后者因提供显著的电气性能和热性能而著称。
这些新型功率MOSFET的尺寸仅为8x8x1.7mm，具有领先的线性模式/安全工作区域(SOA)特性，可在大电流条件下安全可靠地开关工作。
符合AEC-Q101标准的BUK7S0R5-40H器件提供超出车规标准要求两倍的可靠性，适合制动、助力转向、电池防反保护、e-fuse、DC-DC转换器和电机控制应用。
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