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集成的功率MOSFET在12V电源通路中的RDS(ON)1.9mΩ

发布时间:2021/6/5 20:30:23 访问次数:290

全新RV1S9231A 2.5A输出和RV1S9207A 0.6A输出IGBT驱动器,以及RV1S9209A有源高输出IPM驱动器均采用薄型LSSO5封装,引脚间距为0.65mm,提供5000Vrms隔离电压,支持高达125°C高温,以承受恶劣工作环境。

瑞萨“成功产品组合”由相互兼容、无缝协作的产品组成,是经过验证的系统架构,现已面向各类应用和终端产品提供超过200款“成功产品组合”解决方案。

ESD保护特性,人体模式(HBM)为+/-2000V,充电模式(CDM)为+/-500V.

制造商:STMicroelectronics产品种类:ESD 抑制器/TVS 二极管RoHS: 产品类型:ESD Suppressors极性:Unidirectional工作电压:22 V通道数量:1 Channel端接类型:SMD/SMT封装 / 箱体:0603 (1610 Metric)击穿电压:23.3 V钳位电压:41 V峰值脉冲功耗 (Pppm):1400 WVesd - 静电放电电压触点:30 kVVesd - 静电放电电压气隙:30 kVCd - 二极管电容 :-Ipp - 峰值脉冲电流:35 A最小工作温度:- 55 C最大工作温度:+ 150 C系列:封装:Cut Tape封装:MouseReel封装:Reel商标:STMicroelectronicsPd-功率耗散:-8000子类别:TVS Diodes / ESD Suppression DiodesVf - 正向电压:750 mV单位重量:20 mg

内部的LDO还提供了保护IC的电源.

MAX16550的保护电流30A,30A的高密度尺寸为4mmx4.5mm,比通常解决方案板面积要小25%,具有电源,控制和监视单片集成.

集成的功率MOSFET在12V电源通路中的RDS(ON)为1.9mΩ.

器件的工作温度为-40C 到125C.带滞后和下拉的3.3V到15V兼容的输入.器件还具有超温保护.

主要用在开关电源,充电器和适配器以及高压PFC,DC/DC转换器和DC/AC转换器.

(素材来源:ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)

全新RV1S9231A 2.5A输出和RV1S9207A 0.6A输出IGBT驱动器,以及RV1S9209A有源高输出IPM驱动器均采用薄型LSSO5封装,引脚间距为0.65mm,提供5000Vrms隔离电压,支持高达125°C高温,以承受恶劣工作环境。

瑞萨“成功产品组合”由相互兼容、无缝协作的产品组成,是经过验证的系统架构,现已面向各类应用和终端产品提供超过200款“成功产品组合”解决方案。

ESD保护特性,人体模式(HBM)为+/-2000V,充电模式(CDM)为+/-500V.

制造商:STMicroelectronics产品种类:ESD 抑制器/TVS 二极管RoHS: 产品类型:ESD Suppressors极性:Unidirectional工作电压:22 V通道数量:1 Channel端接类型:SMD/SMT封装 / 箱体:0603 (1610 Metric)击穿电压:23.3 V钳位电压:41 V峰值脉冲功耗 (Pppm):1400 WVesd - 静电放电电压触点:30 kVVesd - 静电放电电压气隙:30 kVCd - 二极管电容 :-Ipp - 峰值脉冲电流:35 A最小工作温度:- 55 C最大工作温度:+ 150 C系列:封装:Cut Tape封装:MouseReel封装:Reel商标:STMicroelectronicsPd-功率耗散:-8000子类别:TVS Diodes / ESD Suppression DiodesVf - 正向电压:750 mV单位重量:20 mg

内部的LDO还提供了保护IC的电源.

MAX16550的保护电流30A,30A的高密度尺寸为4mmx4.5mm,比通常解决方案板面积要小25%,具有电源,控制和监视单片集成.

集成的功率MOSFET在12V电源通路中的RDS(ON)为1.9mΩ.

器件的工作温度为-40C 到125C.带滞后和下拉的3.3V到15V兼容的输入.器件还具有超温保护.

主要用在开关电源,充电器和适配器以及高压PFC,DC/DC转换器和DC/AC转换器.

(素材来源:ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)

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