集成的功率MOSFET在12V电源通路中的RDS(ON)1.9mΩ
发布时间:2021/6/5 20:30:23 访问次数:290
全新RV1S9231A 2.5A输出和RV1S9207A 0.6A输出IGBT驱动器,以及RV1S9209A有源高输出IPM驱动器均采用薄型LSSO5封装,引脚间距为0.65mm,提供5000Vrms隔离电压,支持高达125°C高温,以承受恶劣工作环境。
瑞萨“成功产品组合”由相互兼容、无缝协作的产品组成,是经过验证的系统架构,现已面向各类应用和终端产品提供超过200款“成功产品组合”解决方案。
ESD保护特性,人体模式(HBM)为+/-2000V,充电模式(CDM)为+/-500V.
MAX16550的保护电流30A,30A的高密度尺寸为4mmx4.5mm,比通常解决方案板面积要小25%,具有电源,控制和监视单片集成.
集成的功率MOSFET在12V电源通路中的RDS(ON)为1.9mΩ.
器件的工作温度为-40C 到125C.带滞后和下拉的3.3V到15V兼容的输入.器件还具有超温保护.
主要用在开关电源,充电器和适配器以及高压PFC,DC/DC转换器和DC/AC转换器.
(素材来源:ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)
全新RV1S9231A 2.5A输出和RV1S9207A 0.6A输出IGBT驱动器,以及RV1S9209A有源高输出IPM驱动器均采用薄型LSSO5封装,引脚间距为0.65mm,提供5000Vrms隔离电压,支持高达125°C高温,以承受恶劣工作环境。
瑞萨“成功产品组合”由相互兼容、无缝协作的产品组成,是经过验证的系统架构,现已面向各类应用和终端产品提供超过200款“成功产品组合”解决方案。
ESD保护特性,人体模式(HBM)为+/-2000V,充电模式(CDM)为+/-500V.
MAX16550的保护电流30A,30A的高密度尺寸为4mmx4.5mm,比通常解决方案板面积要小25%,具有电源,控制和监视单片集成.
集成的功率MOSFET在12V电源通路中的RDS(ON)为1.9mΩ.
器件的工作温度为-40C 到125C.带滞后和下拉的3.3V到15V兼容的输入.器件还具有超温保护.
主要用在开关电源,充电器和适配器以及高压PFC,DC/DC转换器和DC/AC转换器.
(素材来源:ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)