反激功率转换器设计和制造集成的扩频有助于降低EMI
发布时间:2021/6/4 22:25:45 访问次数:180
集成的扩频有助于降低EMI.自适应的输出电压控制方案最小化LED电流沉入通路的功耗.器件具有I2C控制的脉宽调制(PWM)调光和混合调光.
LED串的可选择相移调光可降低EMI.采用混合调光的调光比大于10000:1,200Hz时采用PWM调光时调光比为10000:1.
参考设计外形尺寸为33.1 mm x 13.4 mm x 6 mm,功率密度为4.1 W/cm3 (5.5 W/g).
制造商:ON Semiconductor 产品种类:ESD 抑制器/TVS 二极管 发货限制： Mouser目前不销售该产品。 RoHS: 详细信息 产品类型:ESD Suppressors 极性:Unidirectional 工作电压:3.3 V 通道数量:1 Channel 端接类型:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOD-523-2 击穿电压:5 V 钳位电压:14.1 V 峰值脉冲功耗 (Pppm):158 W Vesd - 静电放电电压触点:30 kV Vesd - 静电放电电压气隙:30 kV Cd - 二极管电容 :105 pF Ipp - 峰值脉冲电流:11.2 A 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C 系列:ESD5Z 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 商标:ON Semiconductor Pd-功率耗散:500 mW 工厂包装数量:3000 子类别:TVS Diodes / ESD Suppression Diodes 单位重量:1.400 mg
InnoSwitch3-EP系列是离线CV/CC QR反馈开关集成电路,集成了初级开关,同步整流和FluxLink反馈.器件集成了多种保护特性包括线路过压和欠压保护,输出过压和过流限制,以及超温关断,从而大大地简化了反激功率转换器的设计和制造,特别是那些需要高效率和紧凑尺寸的电源.
器件在整个负载范围内具有非常高的效率,极好的CV/CC精确度,并和外接元件无关.
采用外接输出检测电阻可调整精确的输出电流,其PowiGaN™技术在没有散热器的情况下功率高达100W (INN3678C,INN3679C和 INN3670C).
(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）
集成的扩频有助于降低EMI.自适应的输出电压控制方案最小化LED电流沉入通路的功耗.器件具有I2C控制的脉宽调制(PWM)调光和混合调光.
LED串的可选择相移调光可降低EMI.采用混合调光的调光比大于10000:1,200Hz时采用PWM调光时调光比为10000:1.
参考设计外形尺寸为33.1 mm x 13.4 mm x 6 mm,功率密度为4.1 W/cm3 (5.5 W/g).
制造商:ON Semiconductor 产品种类:ESD 抑制器/TVS 二极管 发货限制： Mouser目前不销售该产品。 RoHS: 详细信息 产品类型:ESD Suppressors 极性:Unidirectional 工作电压:3.3 V 通道数量:1 Channel 端接类型:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOD-523-2 击穿电压:5 V 钳位电压:14.1 V 峰值脉冲功耗 (Pppm):158 W Vesd - 静电放电电压触点:30 kV Vesd - 静电放电电压气隙:30 kV Cd - 二极管电容 :105 pF Ipp - 峰值脉冲电流:11.2 A 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C 系列:ESD5Z 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 商标:ON Semiconductor Pd-功率耗散:500 mW 工厂包装数量:3000 子类别:TVS Diodes / ESD Suppression Diodes 单位重量:1.400 mg
InnoSwitch3-EP系列是离线CV/CC QR反馈开关集成电路,集成了初级开关,同步整流和FluxLink反馈.器件集成了多种保护特性包括线路过压和欠压保护,输出过压和过流限制,以及超温关断,从而大大地简化了反激功率转换器的设计和制造,特别是那些需要高效率和紧凑尺寸的电源.
器件在整个负载范围内具有非常高的效率,极好的CV/CC精确度,并和外接元件无关.
采用外接输出检测电阻可调整精确的输出电流,其PowiGaN™技术在没有散热器的情况下功率高达100W (INN3678C,INN3679C和 INN3670C).
(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）
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