导通电阻的硅MOSFET的板子的1/3电压稳压器
发布时间:2021/6/4 21:15:05 访问次数:802
EPC9149的尺寸是根据DOSA标准的1/8砖型，仅为58.4 mm x 22.9 mm。
该板还采用尺寸为4mmx4mm的Microchip dsPIC33CKMP102T-I/M6控制器, 可实现高灵活性、进行配置、通信和编程，从而充分发挥氮化镓场效应晶体管的性能。凭借EPC公司的氮化镓场效应晶体管（eGaNFET）技术，才可以实现1226W/in3的高功率密度。
eGaN FET具有高开关频率，这个板子的频率是1 MHz且微型，其尺寸仅为采用相同导通电阻的硅MOSFET的板子的1/3。
制造商:Panasonic 产品种类:铝质电解电容器-SMD RoHS: 详细信息 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 系列:FC-V High 产品:Low Impedance Electrolytic Capacitors 电容:470 uF 电压额定值 DC:25 VDC 容差:20 % ESR:150 mOhms 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 105 C 直径:10 mm 长度:10.5 mm 高度:10.2 mm 寿命:1000 Hour 纹波电流:670 mA 资格:AEC-Q200 端接类型:SMD/SMT 商标:Panasonic 产品类型:Electrolytic Capacitors 工厂包装数量:500 子类别:Capacitors 单位重量:1.400 g
REF-DAB11KIZSICSYS参考设计11 kW SiC双向DC/DC转换器是采用1200VIMZ120R030M1H和1700V CoolSiC™ MOSFET1EDC20I12AH,具有双向功率流动和软开关特性,非常适合用于电动汽车车载和离车充电以及能量存储系统(ESS)应用.
参考设计提供了完整和全特性硬件和固件解决方案以及用户友好的图像用户接口(GUI).
参考设计包涵了CoolSiC™ MOSFET和集成的Infineon驱动器集成电路,XMC控制器,反激控制器,电压稳压器MOSFET,电流传感器,Cypress存储器以及安全芯片.
(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）
EPC9149的尺寸是根据DOSA标准的1/8砖型，仅为58.4 mm x 22.9 mm。
该板还采用尺寸为4mmx4mm的Microchip dsPIC33CKMP102T-I/M6控制器, 可实现高灵活性、进行配置、通信和编程，从而充分发挥氮化镓场效应晶体管的性能。凭借EPC公司的氮化镓场效应晶体管（eGaNFET）技术，才可以实现1226W/in3的高功率密度。
eGaN FET具有高开关频率，这个板子的频率是1 MHz且微型，其尺寸仅为采用相同导通电阻的硅MOSFET的板子的1/3。
制造商:Panasonic 产品种类:铝质电解电容器-SMD RoHS: 详细信息 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 系列:FC-V High 产品:Low Impedance Electrolytic Capacitors 电容:470 uF 电压额定值 DC:25 VDC 容差:20 % ESR:150 mOhms 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 105 C 直径:10 mm 长度:10.5 mm 高度:10.2 mm 寿命:1000 Hour 纹波电流:670 mA 资格:AEC-Q200 端接类型:SMD/SMT 商标:Panasonic 产品类型:Electrolytic Capacitors 工厂包装数量:500 子类别:Capacitors 单位重量:1.400 g
REF-DAB11KIZSICSYS参考设计11 kW SiC双向DC/DC转换器是采用1200VIMZ120R030M1H和1700V CoolSiC™ MOSFET1EDC20I12AH,具有双向功率流动和软开关特性,非常适合用于电动汽车车载和离车充电以及能量存储系统(ESS)应用.
参考设计提供了完整和全特性硬件和固件解决方案以及用户友好的图像用户接口(GUI).
参考设计包涵了CoolSiC™ MOSFET和集成的Infineon驱动器集成电路,XMC控制器,反激控制器,电压稳压器MOSFET,电流传感器,Cypress存储器以及安全芯片.
(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）
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