视觉唤醒词(VWW)模型在图像中检测人形将每次运算功耗降至0.7毫焦(mJ)
发布时间:2024/8/24 21:40:50 访问次数:42
Maxim Integrated的MAX78000神经网络控制器采用Aizip的视觉唤醒词(VWW)模型在图像中检测人形，将每次运算功耗降至0.7毫焦(mJ)。
这种功耗水平比传统的软件方案降低100倍，是目前市场上最经济、最高效的IoT人形识别方案。
有源EMI滤波器检测DC输入总线上的噪音或波纹电压,并抑制抵消信号的相位输出,以降低噪音或波纹电压.DRSS组合了低频率三角调制和高频随机调制,以优化低频和高频无线电频带的EMI性能.器件满足汽车规范AEC-Q100,工作在–40C 到+125C.降低EMI的平均值为25dBμV.
产品种类: 数字隔离器
RoHS: 详细信息
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOIC-16
通道数量: 4 Channel
极性: Bidirectional, Unidirectional
数据速率: 100 Mb/s
绝缘电压: 5000 Vrms
隔离类型: Capacitive Coupling
工作电源电流: 18 mA
传播延迟时间: 10.7 ns
封装: Cut Tape
封装: Reel
商标: Texas Instruments
湿度敏感性: Yes
产品类型: Digital Isolators
工厂包装数量: 1000
子类别: Interface ICs
主要应用
各种工业应用中的步进电机位置，比如机械臂在汽车应用中，比如动力转向电机通讯电动雨刮执行器
离合器/电子离合器.
主要特点和效益:
全球最小角度误差±0.05°.
角度精度 ±0.35°.
用ICsense的ASIC提供全部主流的输出格式
角度误差自动校正以补偿机械安装误差.
非接触式360°角度测量.
因具有从−40°C到+150°C的温度范围而适用于汽车应用.
KMT36H磁阻传感器用来感应磁场方向，而不是磁场强度。
包含3个相位为120度的惠斯通电桥，一个旋转的磁场强度（典型值25kA/m）
将产生3个相差60度，周期为180度的正弦曲线。
通过磁场角度的修正反正切函数可以得出精确的角度值。
KMT36H 360°磁性角度传感器规格,具有360°功能的AMR传感器
TDFN外形尺寸2.5x2.5x0.75 mm3
三个120°相移信号
中等磁场强度要求。
封装：TDFN
工作温度范围：-40℃～125℃。
深圳市俊晖半导体有限公司http://jhbdt1.51dzw.com
Maxim Integrated的MAX78000神经网络控制器采用Aizip的视觉唤醒词(VWW)模型在图像中检测人形，将每次运算功耗降至0.7毫焦(mJ)。
这种功耗水平比传统的软件方案降低100倍，是目前市场上最经济、最高效的IoT人形识别方案。
有源EMI滤波器检测DC输入总线上的噪音或波纹电压,并抑制抵消信号的相位输出,以降低噪音或波纹电压.DRSS组合了低频率三角调制和高频随机调制,以优化低频和高频无线电频带的EMI性能.器件满足汽车规范AEC-Q100,工作在–40C 到+125C.降低EMI的平均值为25dBμV.
产品种类: 数字隔离器
RoHS: 详细信息
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOIC-16
通道数量: 4 Channel
极性: Bidirectional, Unidirectional
数据速率: 100 Mb/s
绝缘电压: 5000 Vrms
隔离类型: Capacitive Coupling
工作电源电流: 18 mA
传播延迟时间: 10.7 ns
封装: Cut Tape
封装: Reel
商标: Texas Instruments
湿度敏感性: Yes
产品类型: Digital Isolators
工厂包装数量: 1000
子类别: Interface ICs
主要应用
各种工业应用中的步进电机位置，比如机械臂在汽车应用中，比如动力转向电机通讯电动雨刮执行器
离合器/电子离合器.
主要特点和效益:
全球最小角度误差±0.05°.
角度精度 ±0.35°.
用ICsense的ASIC提供全部主流的输出格式
角度误差自动校正以补偿机械安装误差.
非接触式360°角度测量.
因具有从−40°C到+150°C的温度范围而适用于汽车应用.
KMT36H磁阻传感器用来感应磁场方向，而不是磁场强度。
包含3个相位为120度的惠斯通电桥，一个旋转的磁场强度（典型值25kA/m）
将产生3个相差60度，周期为180度的正弦曲线。
通过磁场角度的修正反正切函数可以得出精确的角度值。
KMT36H 360°磁性角度传感器规格,具有360°功能的AMR传感器
TDFN外形尺寸2.5x2.5x0.75 mm3
三个120°相移信号
中等磁场强度要求。
封装：TDFN
工作温度范围：-40℃～125℃。
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