主动猝灭电路通过它加快SPAD器件的恢复速度
发布时间:2021/6/1 23:29:14 访问次数:376
开关采用ST公司的VIPower® M0技术,允许在同以芯片内集成真正的功率MOSFET和智能信号/保护电路.
三个芯片封装在PowerSSO-36封装内,有三个露出的小岛以最优化散热性能.
该封装特别设计用在汽车苛刻的环境中.VNH7040AY满足汽车AEC-Q100资质,输出电流35A,3V CMOS兼容输入,具有欠压关断,超压箝住,热关断以及交叉导通保护和电流与功率限制.
器件具有非常低的待机功耗,PWM工作高达20kHz.器件的多重感测功能包括模拟马达电流反馈,片上温度监测和电池电压监测.
制造商:Micron Technology 产品种类:动态随机存取存储器 RoHS: 详细信息 类型:SDRAM - DDR2 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:FBGA-84 数据总线宽度:16 bit 组织:128 M x 16 存储容量:2 Gbit 最大时钟频率:800 MHz 访问时间:400 ps 电源电压-最大:1.9 V 电源电压-最小:1.7 V 电源电流—最大值:105 mA 最小工作温度:0 C 最大工作温度:+ 85 C 系列:MT47H 封装:Tray 商标:Micron 湿度敏感性:Yes 产品类型:DRAM 工厂包装数量:1260 子类别:Memory & Data Storage
全新产品包含主动猝灭电路,可以通过它加快SPAD器件的恢复速度，使其为进一步光子探测做好准备。8引脚SOT23封装.主要用在工业设备,仪表,马达控制和建筑物自动化.
AXISENSE-G动态倾角传感器使用陀螺仪补偿方法面对恶劣的动态环境,全球高空作业平台和农业与施工车辆安全法规比起以前越来越严格了。
(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）
开关采用ST公司的VIPower® M0技术,允许在同以芯片内集成真正的功率MOSFET和智能信号/保护电路.
三个芯片封装在PowerSSO-36封装内,有三个露出的小岛以最优化散热性能.
该封装特别设计用在汽车苛刻的环境中.VNH7040AY满足汽车AEC-Q100资质,输出电流35A,3V CMOS兼容输入,具有欠压关断,超压箝住,热关断以及交叉导通保护和电流与功率限制.
器件具有非常低的待机功耗,PWM工作高达20kHz.器件的多重感测功能包括模拟马达电流反馈,片上温度监测和电池电压监测.
制造商:Micron Technology 产品种类:动态随机存取存储器 RoHS: 详细信息 类型:SDRAM - DDR2 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:FBGA-84 数据总线宽度:16 bit 组织:128 M x 16 存储容量:2 Gbit 最大时钟频率:800 MHz 访问时间:400 ps 电源电压-最大:1.9 V 电源电压-最小:1.7 V 电源电流—最大值:105 mA 最小工作温度:0 C 最大工作温度:+ 85 C 系列:MT47H 封装:Tray 商标:Micron 湿度敏感性:Yes 产品类型:DRAM 工厂包装数量:1260 子类别:Memory & Data Storage
全新产品包含主动猝灭电路,可以通过它加快SPAD器件的恢复速度，使其为进一步光子探测做好准备。8引脚SOT23封装.主要用在工业设备,仪表,马达控制和建筑物自动化.
AXISENSE-G动态倾角传感器使用陀螺仪补偿方法面对恶劣的动态环境,全球高空作业平台和农业与施工车辆安全法规比起以前越来越严格了。
(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）
相关技术资料- 5-5新一代至强处理器Clearwater
- 5-5Ti2AlSnC MAX米纤维膜光热层光热蒸发器
- 5-5Foveros Direct和 EMIB（2.5D桥接）技术详解
- 5-518A-PT工艺先进3D封装技术应用研究
- 5-5新一代超薄中长距激光雷达EMX
- 5-5激光雷达+双英伟达Thor芯片（算力1400TOPS）探究
- 4-30高通舱驾融合控制器SA8775P SoC
- 4-30Oryon CPU、Adreno GPU核心模块技术
- 4-30骁龙Snapdragon Ride平台应用探究
- 4-30LED驱动器、隔离驱动器市场应用前景
- 4-30MemryX MX3 AI 芯片应用简介
- 4-30信号链和电源管理芯片市场应用详解
公网安备44030402000607
