SiC MOSFET技术支持Midnite Solar最新的电源转换产品设计
发布时间:2021/6/1 13:24:37 访问次数:598
EFR32MG21B是Gecko多协议无线SoC系列产品,组合了80 MHz ARM Cortex-M33,高性能2.4GHz无线电,而集成的安全库提供高度安全能效的无线系统级芯片(SoC)用于物联网(IoT)的连接应用.
器件集成了32位ARM® Cortex®-M33核,最大工作频率80MHz,有多达1024KB闪存和96KB RAM,12路外设反射系统使得MCU外设能自主互动,集成了2.4GHz 发送功率高达20dBm的功率放大器(PA),4x4 QFN封装中有强健的外设集合和多达20个GPIO.
支持的协议包括蓝牙低功耗(蓝牙5),ZigBee和Thread.
制造商:Texas Instruments 产品种类:RF片上系统 - SoC 类型:ISM 工作频率:300 MHz to 348 MHz, 391 MHz to 464 MHz, 782 MHz to 928 MHz 最大数据速率:500 kb/s 输出功率:10 dBm 灵敏度:- 112 dBm 工作电源电压:2 V to 3.6 V 接收供电电流:16.2 mA 程序存储器大小:32 kB 工作温度范围:- 40 C to + 85 C 封装 / 箱体:VQFN-36 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 程序存储器类型:Flash 技术:Si 商标:Texas Instruments 数据 RAM 大小:4 kB 数据 Ram 类型:RAM 接口类型:I2s, UART, USB 安装风格:SMD/SMT 输入/输出端数量:21 I/O 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 湿度敏感性:Yes 定时器数量:5 Timer 处理器系列:CC1110Fx 产品类型:RF System on a Chip - SoC 工厂包装数量2500 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits 零件号别名:HPA00403RHHR 单位重量:105.700 mg
SiC MOSFET技术支持Midnite Solar最新的电源转换产品设计，我们确实很高兴看到先进的功率器件和系统解决方案为我们的尊贵客户带来积极的改变。
碳化硅解决了一个关键的挑战，普通硅MOSFET的体二极管速度非常慢，试图使逆变器作为充电器工作，它必须双向运行是非常困难的。
将IGBT对与另一个二极管结合起来，但碳化硅是一个如此好的解决方案，而且ROHM的器件不需要任何重大的设计改变，所以它是一个明显的选择。
(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）
EFR32MG21B是Gecko多协议无线SoC系列产品,组合了80 MHz ARM Cortex-M33,高性能2.4GHz无线电,而集成的安全库提供高度安全能效的无线系统级芯片(SoC)用于物联网(IoT)的连接应用.
器件集成了32位ARM® Cortex®-M33核,最大工作频率80MHz,有多达1024KB闪存和96KB RAM,12路外设反射系统使得MCU外设能自主互动,集成了2.4GHz 发送功率高达20dBm的功率放大器(PA),4x4 QFN封装中有强健的外设集合和多达20个GPIO.
支持的协议包括蓝牙低功耗(蓝牙5),ZigBee和Thread.
制造商:Texas Instruments 产品种类:RF片上系统 - SoC 类型:ISM 工作频率:300 MHz to 348 MHz, 391 MHz to 464 MHz, 782 MHz to 928 MHz 最大数据速率:500 kb/s 输出功率:10 dBm 灵敏度:- 112 dBm 工作电源电压:2 V to 3.6 V 接收供电电流:16.2 mA 程序存储器大小:32 kB 工作温度范围:- 40 C to + 85 C 封装 / 箱体:VQFN-36 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 程序存储器类型:Flash 技术:Si 商标:Texas Instruments 数据 RAM 大小:4 kB 数据 Ram 类型:RAM 接口类型:I2s, UART, USB 安装风格:SMD/SMT 输入/输出端数量:21 I/O 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 湿度敏感性:Yes 定时器数量:5 Timer 处理器系列:CC1110Fx 产品类型:RF System on a Chip - SoC 工厂包装数量2500 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits 零件号别名:HPA00403RHHR 单位重量:105.700 mg
SiC MOSFET技术支持Midnite Solar最新的电源转换产品设计，我们确实很高兴看到先进的功率器件和系统解决方案为我们的尊贵客户带来积极的改变。
碳化硅解决了一个关键的挑战，普通硅MOSFET的体二极管速度非常慢，试图使逆变器作为充电器工作，它必须双向运行是非常困难的。
将IGBT对与另一个二极管结合起来，但碳化硅是一个如此好的解决方案，而且ROHM的器件不需要任何重大的设计改变，所以它是一个明显的选择。
(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）
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