高效率IGBT驱动器NCV57000DWR2G和图腾柱拓扑
发布时间:2021/6/1 9:01:35 访问次数:821
NVHL060N090SC1是900V 46A碳化硅(SiC)功率MOSFET.
和硅器件相比,SiC MOSFET具有优越的开关性能和更高的可靠性.更低的开态(ON)电阻和紧凑的芯片尺寸,保证有更低的电容和栅极电容.
因此,SiC MOSFET系统具有最高的效率,更快的工作频率,较高的功率密度,从而降低了EMI和系统尺寸.
6.6 kW车载充电器(OBC)SEC-6D6KW-OBC-TTP-GEVB参考设计采用NVHL060N090SC1器件,单片高边和低边栅极驱动器FAN7191 F085,650V N沟功率MOSFET SUPERFET® III NVHL025N65S3,隔离大电流和高效率IGBT驱动器NCV57000DWR2G和图腾柱拓扑,系统效率高达97%.
制造商:Panasonic 产品种类:铝质电解电容器-SMD RoHS: 详细信息 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 系列:S-V 产品:Aluminum Electrolytic Capacitors 电容:2.2 uF 电压额定值 DC:50 VDC 容差:20 % 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 85 C 直径:5 mm 长度:5.5 mm 高度:5.4 mm 寿命:2000 Hour 纹波电流:16 mA 资格:AEC-Q200 端接类型:SMD/SMT 商标:Panasonic 电容-nF:2200 nF 产品类型:Electrolytic Capacitors 工厂包装数量:1000 子类别:Capacitors 单位重量:400 mg
集成式独立小数N分频射频频率合成器.器件有1.0V,1.3V和1.8V稳压器供电.采用14 mm × 14 mm289引脚芯片级球栅阵列 (CSP_BGA) 封装.
主要用在3G/4G/5G TDD 和 FDD 大规模 MIMO,宏蜂窝和小型蜂窝基站.
Midnite太阳能公司在其新的太阳能产品系列中纳入了ROHM的60mΩ RDS(on)SiC器件和较新的30mΩ RDS(on)产品。他预计可靠性会非常好，因为设计运行酷似。
驱动部件将很简单，因为ROHM也提供栅极驱动器。
(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）
NVHL060N090SC1是900V 46A碳化硅(SiC)功率MOSFET.
和硅器件相比,SiC MOSFET具有优越的开关性能和更高的可靠性.更低的开态(ON)电阻和紧凑的芯片尺寸,保证有更低的电容和栅极电容.
因此,SiC MOSFET系统具有最高的效率,更快的工作频率,较高的功率密度,从而降低了EMI和系统尺寸.
6.6 kW车载充电器(OBC)SEC-6D6KW-OBC-TTP-GEVB参考设计采用NVHL060N090SC1器件,单片高边和低边栅极驱动器FAN7191 F085,650V N沟功率MOSFET SUPERFET® III NVHL025N65S3,隔离大电流和高效率IGBT驱动器NCV57000DWR2G和图腾柱拓扑,系统效率高达97%.
制造商:Panasonic 产品种类:铝质电解电容器-SMD RoHS: 详细信息 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 系列:S-V 产品:Aluminum Electrolytic Capacitors 电容:2.2 uF 电压额定值 DC:50 VDC 容差:20 % 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 85 C 直径:5 mm 长度:5.5 mm 高度:5.4 mm 寿命:2000 Hour 纹波电流:16 mA 资格:AEC-Q200 端接类型:SMD/SMT 商标:Panasonic 电容-nF:2200 nF 产品类型:Electrolytic Capacitors 工厂包装数量:1000 子类别:Capacitors 单位重量:400 mg
集成式独立小数N分频射频频率合成器.器件有1.0V,1.3V和1.8V稳压器供电.采用14 mm × 14 mm289引脚芯片级球栅阵列 (CSP_BGA) 封装.
主要用在3G/4G/5G TDD 和 FDD 大规模 MIMO,宏蜂窝和小型蜂窝基站.
Midnite太阳能公司在其新的太阳能产品系列中纳入了ROHM的60mΩ RDS(on)SiC器件和较新的30mΩ RDS(on)产品。他预计可靠性会非常好，因为设计运行酷似。
驱动部件将很简单，因为ROHM也提供栅极驱动器。
(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）
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